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NPN型三极管
阅读:40686时间:2011-04-07 11:10:41

  NPN型三极管是较为常用的一种三极管,由两块N型半导体和一块P型半导体构成,也可以描述成,电流从发射极E流出的三极管。NPN型三极管除了有对电流放大作用外,还有开关作用(即通、断作用)。

结构

  NPN型三极管由两块N型和一块P型半导体构成,如图所示,P型半导体在中间,两块N型半导体在两侧,各半导体所引出的电极见图中所示。在P型和N型半导体的交界面形成两个PN结,形成三个区,中间部分成为基区,相连电极成为基极,用b表示,两侧分别是发射区和集电区,相连电极分别为发射极和集电极。在基极与集电极之间的PN结称为集电结,在基极与发射极之间的PN结称为发射结。

NPN型三极管结构

主要参数

  1.  电流放大倍数/β和β

  前面的电路中,三极管的发射极是输入输出的公共点,称为共射接法,相应地还有共基、共集接法。

  共射直流电流放大倍数:

公式

  工作于动态的三极管,真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为DIB,相应的集电极电流变化为DIC,则交流电流放大倍数为:

公式

  2.集-基极反向截止电流ICBO

  ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流,受温度的变化影响。

  3. 集-射极反向截止电流ICEO

  ICEO= βIBE+ICBO

  ICEO受温度影响很大,当温度上升时,ICEO增加很快,所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。

  4.集电极电流ICM

  集电极电流IC上升会导致三极管的β值的下降,当β值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICEO

  5.集-射极反向击穿电压

  当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时,三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25℃、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO

  6. 集电极允许功耗PCM

判断方法

  NPN型三极管的测量如图所示。将负表笔接三极管的某一管脚,正表笔分别接另外两个管脚,测量得到两个阻值。如果测得的两个阻值均较小,且为5kΩ左右时,则负表笔所接管脚即为NPN型三极管的基极。若测得的两阻值一大一小或都大,可将负表笔另接一管脚再试,直到两阻值均较小为止。

NPN型三极管判断方法

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