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FeRam
阅读:7472时间:2011-01-10 17:36:14

  FeRAM.它是利用铁电薄膜的双稳态极化特性——电滞回线制备的非易失性存储器,将铁电薄膜技术与集成电路工艺相结合制作铁电存储器(FeRAM)是新兴的边缘学科-集成铁电学中电引入瞩目的研究方向。

特点

  FeRam具有不挥发性和抗辐射性,功耗低,写操作速度快,可比EEPROM高两个数量级,写操作次数高,可达100亿次,比EEPROM高数个数量级。FeRAM被认为是未来存储技术的主流,根据预测,今后若干年内可能取代EEPROM,甚至DRAM,SRAM而占据每年几百亿美元市场,将在非接触IC卡,移动电话,手提计算机,嵌入式微处理器,AIR BAG等方面得到广泛应用。这一技术有巨大的市场价值。同时体现了材料、技术和多种物理效应的集成,对它的研究同时有着重要的科学意义。

应用

  FeRam是一种理想的存储器.在计算机、航天航空、军工等领域具有广阔的应用前景.FeRAM是当前铁电薄膜存储器的主要研究和开发方向,世界上许多大的半导体公司对此都十分重视.如美国的Ramtron公司在1995年开发出4—6kbit的并行和串行结构的FeRAM产品.该公司与Symetrix共同组建联合体,计划在1998年推出16Mbit FeRAM产品,投放市场.

发展前景

  从目前的市场情况看,不挥发存储器的市场增长速度已高于DRAM和SRAM。应用需求主要在非接触IC卡、智能卡、移动电话、掌上电脑、手提计算机、嵌入式微处理器等领域。不挥发存储器最巨大的市场增长点在嵌入式存储器方面。嵌入式存储器阵列主要用于3个领域;非接触存储卡需要低密度(≤16Kb)不挥发存储器(NVM),当今市场较小(≤100M$),但具有巨大市场潜力。智能卡(SmartCard)中需要中等密度到高密度(128Kb-1Mb)的NVM,目前市场规模为100M$,但增长极其快。嵌入式系统采用各种规模的NVM(--2Mb)。估计市场为500M$-1B$,但在今后5年内增长极快。目前市场上的较低容量(1Mbit以下)的FeRAM的应用方向是为了取代同等容量的E2PROM。为此,其管脚设计和输入输出接口都采用现有的E2PROM的规范,这样就可以做到在对现有系统不作任何改动的情况下,直接取代E2PROM。

  由于FeRAM的显着优点以及巨大的市场需求,国际展开了激烈的研究竞争。目前在铁电存储器商业化中遇到的主要挑战是缺少低成本的与硅基CMOS工艺集成的技术,达不到批量生产的原因主要是材料和存储单元结构问题。具体表现在很多器件停留在发表论文阶段;与主流产品存在技术代的差距,目前只有0.35μm器件采用MLM工艺。单元尺寸不会小于25F2,F是最小线宽。构成阵列的效率较低,在25-30%范围内。

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