FeRam具有不挥发性和抗辐射性，功耗低，写操作速度快，可比EEPROM高两个数量级，写操作次数高，可达100亿次，比EEPROM高数个数量级。FeRAM被认为是未来存储技术的主流，根据预测，今后若干年内可能取代EEPROM，甚至DRAM，SRAM而占据每年几百亿美元市场，将在非接触IC卡，移动电话，手提计算机，嵌入式微处理器，AIR BAG等方面得到广泛应用。这一技术有巨大的市场价值。同时体现了材料、技术和多种物理效应的集成，对它的研究同时有着重要的科学意义。

　　FeRam是一种理想的存储器.在计算机、航天航空、军工等领域具有广阔的应用前景.FeRAM是当前铁电薄膜存储器的主要研究和开发方向，世界上许多大的半导体公司对此都十分重视.如美国的Ramtron公司在1995年开发出4—6kbit的并行和串行结构的FeRAM产品.该公司与Symetrix共同组建联合体，计划在1998年推出16Mbit FeRAM产品，投放市场.

　　从目前的市场情况看，不挥发存储器的市场增长速度已高于DRAM和SRAM。应用需求主要在非接触IC卡、智能卡、移动电话、掌上电脑、手提计算机、嵌入式微处理器等领域。不挥发存储器最巨大的市场增长点在嵌入式存储器方面。嵌入式存储器阵列主要用于3个领域；非接触存储卡需要低密度（≤16Kb）不挥发存储器（NVM），当今市场较小（≤100Ｍ$），但具有巨大市场潜力。智能卡（ＳmartＣard）中需要中等密度到高密度（128Kb-1Mb）的NVM，目前市场规模为100M$,但增长极其快。嵌入式系统采用各种规模的ＮＶＭ（--２Ｍb）。估计市场为500M$-1B$,但在今后５年内增长极快。目前市场上的较低容量（１Ｍbit以下）的FeRAM的应用方向是为了取代同等容量的Ｅ２PROM。为此，其管脚设计和输入输出接口都采用现有的Ｅ２PROM的规范，这样就可以做到在对现有系统不作任何改动的情况下，直接取代Ｅ２PROM。

　　由于FeRAM的显着优点以及巨大的市场需求，国际展开了激烈的研究竞争。目前在铁电存储器商业化中遇到的主要挑战是缺少低成本的与硅基CMOS工艺集成的技术，达不到批量生产的原因主要是材料和存储单元结构问题。具体表现在很多器件停留在发表论文阶段；与主流产品存在技术代的差距，目前只有０.35μm器件采用MLM工艺。单元尺寸不会小于25Ｆ２，Ｆ是最小线宽。构成阵列的效率较低，在25-30％范围内。