闪存芯片分为三类
　　SLC、MLC和TLC芯片
　　什么是SLC
　　SLC英文全称(SingleLevelCell——SLC)即单层式储存。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
　　SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Siliconefficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Processenhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
　　什么是MLC
　　MLC英文全称（MultiLevelCell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。
　　英特尔（Intel）在1997年9月开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
　　Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。
　　与SLC比较MLC的优势
　　签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。
　　与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。
　　与SLC比较MLC的缺点
　　MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。
　　其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。
　　再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。
　　虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了的优势。由于MLC架构和成本都具有优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。
　　U盘中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别
　　SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
　　MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
　　TLC=Trinary-LevelCell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
　　目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：采用H2testwv1.4测试，三星MLC写入速度:4.28-5.59MByte/s，读取速度:12.2-12.9MByte/s。三星SLC写入速度:8.5MByte/s，读取速度:14.3MByte/s。
　　需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。
　　面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
　　SLC利用正、负两种电荷一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。
　　MLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。
　　TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。

　　闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有TLC闪存做的产品了
　　鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大
　　强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
　　许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢？在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。