时间：2025/6/25 16:47:05
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VSD090N10MS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN33 封装。该器件适用于多种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。其低导通电阻和高效率的特点使其非常适合在便携式设备和其他对功耗敏感的应用中使用。
该型号的 MOSFET 具有出色的开关特性和较低的栅极电荷，从而可以实现快速开关操作并降低开关损耗。此外，它还具备良好的热性能，有助于提高整体系统的可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8.4A
导通电阻（典型值）：12mΩ
栅极电荷：17nC
输入电容：560pF
总电容：185pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
VSD090N10MS 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度，这得益于其较低的栅极电荷和输出电荷。
3. 高雪崩能力和鲁棒性，确保在过载条件下依然具有可靠表现。
4. 采用小型 PDFN33 封装，节省 PCB 空间，并提供良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，用于高效能量转换。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 各种类型的负载开关，例如 USB 充电器、电池管理系统。
4. 电机驱动电路，尤其是小型直流电机控制。
5. LED 驱动器，以精确控制亮度和颜色。
6. 保护电路，如过流保护和短路保护。
VSD080N10KM, VSD090N10KSF
