型号：ZXTP5401GTA
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：SOT-23 (SC-70)
　　连续漏极电流（ID）：-600mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-1.8A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-20V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -1.6V
　　导通电阻（RDS(on)）：@ VGS = -4.5V: 230mΩ max；@ VGS = -2.5V: 280mΩ max；@ VGS = -1.8V: 400mΩ max
　　输入电容（Ciss）：220pF @ VDS=10V
　　反向传输电容（Crss）：30pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：210pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：~8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：~22ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　最大功耗（PD）：350mW @ TA=25°C

ZXTP5401GTA采用先进的TrenchFET工艺技术，这种技术通过在硅基底上构建垂直沟道结构，显著提升了单位面积下的载流子迁移率，从而实现了更低的导通电阻与更高的电流密度。相比传统平面型MOSFET，TrenchFET结构减少了寄生电阻和电容，提高了开关效率并降低了动态损耗。该器件在-4.5V栅压下典型RDS(on)仅为230mΩ，即使在低至-1.8V的驱动电压下仍能保持400mΩ以下的导通阻抗，使其非常适合用于由3.3V或1.8V逻辑信号直接驱动的低压控制系统。此外，其快速的开关响应时间（开启约8ns，关断约22ns）确保了在高频开关电源中的高效运行，有效减少交越失真和能量浪费。
　　该MOSFET具备出色的热性能和稳定性，尽管封装体积小巧（SOT-23），但通过优化芯片布局与封装材料，能够在有限的空间内实现良好的散热效果。其最大连续功耗为350mW（在25°C环境温度下），结合较低的热阻特性，可在实际应用中承受一定的温升负荷。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于工业级及消费类电子产品的严苛环境条件。同时，ZXTP5401GTA具有较强的静电放电（ESD）防护能力，典型HBM ESD耐受电压超过2000V，增强了在自动化装配和现场使用过程中的鲁棒性。
　　作为一款P沟道器件，ZXTP5401GTA特别适用于高边开关应用，例如电池供电系统的电源通断控制、负载切换、反向电流阻断等场景。相较于N沟道MOSFET在高边驱动中需要额外的电荷泵电路，P沟道结构可以直接由逻辑电平控制，简化了外围设计，降低了系统成本与复杂度。此外，该器件还具备一定的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压或感性负载切断时吸收部分能量，避免立即损坏，提升整体系统可靠性。所有这些特性共同使ZXTP5401GTA成为现代小型化、高效率电源管理方案中的理想选择。

ZXTP5401GTA广泛应用于各种便携式和低功耗电子产品中，尤其是在需要紧凑尺寸和高效功率控制的场合。常见应用包括移动设备中的电池电源管理模块，如智能手机和平板电脑中的电池接入开关，用于在设备关机或休眠状态下完全切断电池供电以降低待机功耗。此外，它也常被用作负载开关，控制不同功能模块（如显示屏背光、传感器、无线通信模块）的独立供电，实现精细化电源管理，延长续航时间。
　　在直流-直流（DC-DC）转换器电路中，ZXTP5401GTA可用于同步整流或高端开关拓扑，特别是在降压（Buck）变换器中作为上管使用，配合控制器实现高效的电压调节。由于其支持低电压驱动（最低1.8V即可有效导通），因此能够与现代低电压微控制器或电源管理IC无缝对接，无需额外电平转换电路。在USB电源接口或充电管理电路中，该器件可用于过流保护和热插拔控制，防止短路或浪涌电流对主系统造成损害。
　　其他典型应用场景还包括可穿戴设备（如智能手表、健康监测仪）、物联网节点、小型传感器模块、手持仪器仪表以及家用消费类电子产品中的电源开关和隔离控制。由于其SOT-23封装体积小、易于自动化贴装，非常适合高密度PCB布局。此外，在工业控制和汽车电子中的辅助电源系统中也有一定应用潜力，尤其适用于非主驱类的小功率控制回路。总体而言，任何需要小型化、低静态功耗和可靠开关性能的P沟道MOSFET应用场景，都是ZXTP5401GTA的适用领域。

ZXM61P02F, FDN340P, DMG2301U, SI2301DS, BSS84