时间：2025/12/26 11:57:06
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ZXTP4003ZTA是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23（SC-59）小型表面贴装封装，适用于空间受限的便携式电子设备和高密度PCB设计。该器件专为低电压、低功耗应用优化，具备良好的开关特性和导通电阻性能，能够有效降低系统功耗并提高能效。其栅极阈值电压较低，可直接由3.3V或5V逻辑电平驱动，因此广泛应用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及信号切换等场景中。ZXTP4003ZTA在制造工艺上采用了先进的沟道技术，确保了器件在高温环境下的稳定性和可靠性，同时具备良好的热稳定性与抗噪声能力。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适合现代电子产品对环保和安全性的要求。
类型：P沟道
漏源电压（VDS）：-30V
连续漏极电流（ID）：-1.8A @ 25°C
脉冲漏极电流（IDM）：-5.6A
栅源电压（VGS）：±20V
栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V @ VDS = -3V, ID = -250μA
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -10V, ID = -1.8A
导通电阻（RDS(on)）：65mΩ @ VGS = -4.5V, ID = -1.8A
导通电阻（RDS(on)）：90mΩ @ VGS = -2.5V, ID = -1.35A
输入电容（Ciss）：300pF @ VDS = -15V, VGS = 0V
反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS = -15V, VGS = 0V
输出电容（Coss）：250pF @ VDS = -15V, VGS = 0V
开启延迟时间（td(on)）：7ns
关断延迟时间（td(off)）：15ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：SOT-23 (SC-59)
ZXTP4003ZTA具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与低栅极电荷的结合，使得器件在高频开关应用中表现出色。由于其P沟道结构，在用于高边开关时无需额外的电平移位电路即可实现负载控制，简化了电源管理系统的设计复杂度。
该器件的RDS(on)在VGS = -4.5V时仅为65mΩ，意味着在中等驱动电压下仍能保持较低的功率损耗，特别适合用于电池供电设备如智能手机、平板电脑、便携式医疗仪器等对能效敏感的应用场景。同时，其最大连续漏极电流可达-1.8A，足以支持大多数中小功率负载的开关控制需求。
另一个关键特性是其快速的开关响应能力，开启延迟时间为7ns，关断延迟时间为15ns，这使其能够在DC-DC转换器、同步整流或数字控制开关等需要高速响应的电路中发挥重要作用。低输入电容（Ciss=300pF）也降低了驱动电路的负担，有助于减少整体系统的功耗和电磁干扰（EMI）。
ZXTP4003ZTA还具有良好的温度稳定性，可在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠运行，适用于工业级和汽车级应用场景。器件内部经过优化设计，具备一定的抗雪崩能力和过压保护特性，提高了在恶劣电气环境中的鲁棒性。
此外，SOT-23封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且具备较好的散热性能，通过PCB布局可有效将热量传导出去，从而提升长期工作的可靠性。总体而言，ZXTP4003ZTA是一款高性能、高性价比的P沟道MOSFET，适用于多种现代电子系统中的电源开关与控制功能。
主要用于便携式电子设备中的电源管理模块，例如手机、蓝牙耳机、智能手表等产品的电池供电控制；
作为高边或低边开关用于负载开关电路，实现对外设电源的通断控制以节省能耗；
应用于DC-DC转换器中的同步整流或驱动级电路，提高转换效率；
用于GPIO扩展后的信号路径切换或多路复用控制；
在工业控制、消费类电子和汽车电子中作为通用开关元件使用；
适用于需要逻辑电平直接驱动的场合，尤其是由微控制器输出信号直接控制的开关电路。
ZXMN4003Z, FDN304P, AO3401A, SI2301, BSS84
