型号：ZXTP25040DFH
　　通道类型：P沟道
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大连续漏极电流(ID)：-4A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：-12A
　　最大栅源电压(VGS)：±8V
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -4.5V：40mΩ（最大）
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -2.5V：55mΩ（最大）
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = -1.8V：75mΩ（最大）
　　栅极电荷(Qg)：8.5nC（典型）
　　输入电容(Ciss)：320pF（典型）
　　开启延迟时间(td(on))：7ns
　　关断延迟时间(td(off))：18ns
　　反向恢复时间(trr)：9ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN2020-6L

ZXTP25040DFH采用先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统的效率。在VGS = -4.5V条件下，其最大RDS(on)仅为40mΩ，即使在低栅极驱动电压下也能保持优异的导通性能。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中作为负载开关或电源路径控制元件，有效延长电池使用寿命。此外，由于其低导通电阻带来的发热较小，可降低对散热设计的要求，从而简化PCB布局并节省成本。
　　该器件的DFN2020-6L封装不仅体积小巧（仅2.0mm x 2.0mm），而且底部带有裸露焊盘，能够通过PCB上的热过孔将热量快速传导至内部地层或散热层，显著提升热性能。这种封装方式使得ZXTP25040DFH能够在高电流负载下稳定运行而不会因温升过高导致性能下降或损坏。同时，小型化封装有利于实现更高集成度的电子产品设计，如智能手机、可穿戴设备和平板电脑等对空间极为敏感的应用场景。
　　ZXTP25040DFH具备良好的动态开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg = 8.5nC）和输入电容（Ciss = 320pF），这意味着它可以在高频开关操作中表现出色，减少开关损耗，并支持快速响应的控制需求。这对于DC-DC转换器、同步整流电路以及需要频繁启停的电源管理系统尤为重要。另外，其较短的开启和关断延迟时间（分别为7ns和18ns）确保了精确的时序控制，有助于提升整个电源系统的动态响应能力和稳定性。
　　该MOSFET还内置了一定程度的保护机制，例如具备反向电流阻断能力，并且在栅极-源极之间具有较高的耐压能力（±8V），可防止因过压而导致的器件失效。此外，经过AEC-Q101认证意味着该器件已通过严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、高压蒸煮等，确保在恶劣环境下仍能维持长期可靠运行，特别适合应用于汽车电子领域中的各类控制模块。

ZXTP25040DFH广泛应用于需要高效、小型化P沟道MOSFET的各种电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载管理，例如智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能和延长电池续航时间。
　　在电源管理单元（PMU）或直流-直流（DC-DC）转换器中，该器件可用作高端开关或同步整流器，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率并减少热耗散。此外，它也常被用于电池保护电路中，作为充放电路径的控制开关，配合保护IC实现过流、过压和短路保护功能。
　　由于通过了AEC-Q101车规认证，ZXTP25040DFH也被广泛应用于汽车电子系统中，如车载摄像头电源控制、车内照明调光、信息娱乐系统电源切换以及车身电子模块（如门锁、雨刷、座椅调节）的驱动电路。其高可靠性和宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能在发动机舱附近或极端气候条件下稳定工作。
　　此外，该器件还可用于工业控制设备、物联网终端节点、无线传感器网络节点等需要低功耗和高集成度设计的场合。其兼容3.3V和5V逻辑电平的能力，使其可以直接由微控制器GPIO引脚驱动，无需额外电平转换电路，进一步简化系统设计并降低成本。

ZXMN2F30FH
　　FDML8218S
　　AOZ5205PI