时间：2025/8/2 7:00:52
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ZXTN4004ZTA 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效率和高性能的电子设备中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适合用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器和负载开关等应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：25mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：35nC
功率耗散（PD）：64W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
ZXTN4004ZTA 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。在 VGS=10V 的条件下，RDS(on) 仅为 25mΩ，这对于需要高电流能力的应用非常重要。
其次，该器件采用先进的沟槽技术，确保了良好的热稳定性和较高的电流密度，从而在高温环境下依然能保持稳定的性能。此外，ZXTN4004ZTA 的最大漏极电流可达 10A，能够满足高功率应用的需求。
为了提高系统的可靠性，ZXTN4004ZTA 的栅极氧化层设计能够承受高达 ±20V 的栅源电压，避免因瞬态电压导致的损坏。同时，其栅极电荷（Qg）为 35nC，这有助于降低开关损耗，提高开关速度。
该器件的封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，简化了 PCB 设计并提高了生产效率。其最大功率耗散为 64W，能够在高负载条件下保持稳定运行。
此外，ZXTN4004ZTA 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应各种恶劣的工作环境，适用于工业控制、汽车电子、消费类电子产品等多种应用场景。
ZXTN4004ZTA 主要应用于需要高效能功率管理的电路中。常见应用包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统以及工业自动化控制系统。
在开关模式电源中，ZXTN4004ZTA 的低导通电阻和快速开关特性能够显著提高电源转换效率，减少能量损耗。
在 DC-DC 转换器中，该器件的高电流承载能力和低栅极电荷特性使其成为理想的开关元件，能够实现高效的电压转换。
作为负载开关，ZXTN4004ZTA 可用于控制电源的通断，适用于便携式设备的电源管理方案。
在马达驱动器和工业自动化控制系统中，该器件的高耐压和高电流能力能够驱动高功率负载，确保系统稳定运行。
IRFZ44N, FDP3632, FQP30N06L
