时间：2025/5/7 12:15:33
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EXB-2HVR000V是一种高压光耦合器，专为IGBT和功率MOSFET的门极驱动应用设计。它采用高隔离电压技术，确保在恶劣电气环境中的稳定性和安全性。此光耦合器具备快速开关速度和高共模抑制能力，非常适合工业和汽车级功率转换系统。
型号：EXB-2HVR000V
工作电压：25V至30V
最大输出电流：±1.5A
隔离电压：7500Vrms（一分钟）
存储温度范围：-40℃至+110℃
工作温度范围：-40℃至+100℃
上升时间：小于1μs
下降时间：小于1μs
封装形式：DIP-8
EXB-2HVR000V具有优异的电气特性和机械稳定性，主要体现在以下方面：
1. 高压隔离能力，能够承受高达7500Vrms的一分钟耐压测试。
2. 快速开关速度，其典型上升和下降时间均小于1微秒，适用于高频功率变换场景。
3. 强大的输出驱动能力，支持最大±1.5A的峰值输出电流，适合直接驱动大功率器件。
4. 宽工作电压范围（25V至30V），适应多种电源需求。
5. 工作温度范围宽广（-40℃至+100℃），能够在极端环境下保持性能。
6. 高共模噪声抑制能力，减少电磁干扰对信号传输的影响。
该光耦合器广泛应用于各种需要隔离驱动的场景，包括但不限于：
1. 工业变频器和伺服驱动器中的IGBT/MOSFET驱动。
2. 不间断电源(UPS)、太阳能逆变器及电机控制器。
3. 车载充电器(OBC)、电动汽车牵引逆变器以及其他高压汽车电子设备。
4. 开关电源(SMPS)以及电力系统保护装置。
EXB-2HVR000V凭借其卓越的性能，成为许多高可靠性要求应用的理想选择。
EXB841, HCPL-J312, TLP250
