时间：2025/8/2 8:06:25
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ZXTN25100DGTA 是由 Diodes 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高电流开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高效率的性能，适用于电源管理、电池充电器、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：0.018Ω（典型值）
封装类型：DFN（双扁平无引脚）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
功耗（PD）：100W
ZXTN25100DGTA 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），典型值仅为 0.018Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。这种低电阻特性使得该器件在高电流应用中表现优异，例如在大功率 DC-DC 转换器或电机驱动器中。此外，该 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构，优化了电流密度并增强了热稳定性。
另一个重要特性是其高电流承载能力，最大连续漏极电流可达 60A，适用于需要大功率输出的电路设计。同时，该器件具有较高的栅极电压容限（±20V），使其在复杂的控制电路中更加可靠，减少了因过电压而导致的故障风险。
ZXTN25100DGTA 还具备良好的热管理性能，封装设计有助于快速散热，确保在高负载条件下依然能够稳定工作。其 DFN 封装形式不仅提供了优良的热传导性能，还具备较小的封装尺寸，适合空间受限的设计应用。此外，该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，能够在极端环境条件下保持稳定性能。
ZXTN25100DGTA 主要应用于需要高效率和高电流承载能力的场合。例如，在电源管理系统中，它可以作为主开关器件用于调节和分配电力。在电池充电器中，该 MOSFET 可用于高效能的充放电控制，提高充电速度并减少能量损耗。此外，在 DC-DC 转换器中，该器件可以作为高频开关，帮助实现高效率的电压转换，适用于服务器、电信设备和工业控制系统等。
该 MOSFET 还广泛用于负载开关和马达控制电路中，能够在高电流负载下提供快速的开关响应，提升系统的动态性能。由于其良好的热管理能力和紧凑的封装设计，ZXTN25100DGTA 也非常适合用于空间受限的便携式电子设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和高端智能手机的电源管理模块。
此外，该器件也可用于汽车电子系统中，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及汽车照明控制系统等。其宽广的工作温度范围和高可靠性使其能够适应汽车环境中复杂的温度变化和振动条件。
SiHF60N100E、FDP60N100、IXFN60N100
