LTP75N08是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件由ON Semiconductor(安森美半导体)制造,具有低导通电阻(Rds(on))、高电流能力和高效率的特点,适合用于DC-DC转换器、同步整流、电机控制和负载开关等应用。LTP75N08采用先进的沟槽技术,能够在高频率下工作,同时保持较低的开关损耗。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):75A
最大漏源电压(VDS):80V
导通电阻(Rds(on)):最大8.5mΩ @ VGS=10V
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-220、D2PAK等
LTP75N08具备多项优良特性,首先其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。在高电流应用中,低Rds(on)还能减少发热,提高可靠性。
其次,该器件的高漏极电流额定值(75A)使其适用于高功率密度设计,如电源模块和电动工具控制电路。
此外,LTP75N08具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。其采用先进的沟槽式MOSFET结构,提高了开关速度并降低了开关损耗,适用于高频开关电源和同步整流拓扑。
该MOSFET的栅极电压耐受范围较宽(±20V),提高了驱动电路设计的灵活性。同时,其封装形式(如TO-220和D2PAK)具有良好的散热性能,便于安装和散热管理。
最后,LTP75N08还具备较强的抗雪崩能力和短路耐受能力,提升了器件在极端工况下的可靠性和使用寿命。
LTP75N08广泛应用于多种电力电子系统中,包括但不限于:
1. DC-DC转换器:用于服务器电源、通信设备电源和工业控制系统中的高效升压或降压变换器。
2. 电机驱动和控制:适用于无刷直流电机(BLDC)驱动、步进电机控制器和电动工具。
3. 负载开关:用于智能功率分配、电池管理系统(BMS)和负载隔离电路。
4. 同步整流器:在反激式和正激式开关电源中替代传统二极管,提高整机效率。
5. 逆变器与UPS系统:适用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和储能系统中的功率开关。
6. 电动车相关应用:如电动自行车控制器、电池充放电管理模块等。
STP75NF75, IRF1405, FDP75N08A, IPW75N08CD