LTP75N08 时间：2025/9/6 11:36:52 阅读：28

LTP75N08是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件由ON Semiconductor（安森美半导体）制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和高效率的特点，适合用于DC-DC转换器、同步整流、电机控制和负载开关等应用。LTP75N08采用先进的沟槽技术，能够在高频率下工作，同时保持较低的开关损耗。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：75A
　　最大漏源电压（VDS）：80V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大8.5mΩ @ VGS=10V
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等

特性

LTP75N08具备多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在高电流应用中，低Rds(on)还能减少发热，提高可靠性。
　　其次，该器件的高漏极电流额定值（75A）使其适用于高功率密度设计，如电源模块和电动工具控制电路。
　　此外，LTP75N08具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其采用先进的沟槽式MOSFET结构，提高了开关速度并降低了开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流拓扑。
　　该MOSFET的栅极电压耐受范围较宽（±20V），提高了驱动电路设计的灵活性。同时，其封装形式（如TO-220和D2PAK）具有良好的散热性能，便于安装和散热管理。
　　最后，LTP75N08还具备较强的抗雪崩能力和短路耐受能力，提升了器件在极端工况下的可靠性和使用寿命。

应用

LTP75N08广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：
　　1. DC-DC转换器：用于服务器电源、通信设备电源和工业控制系统中的高效升压或降压变换器。
　　2. 电机驱动和控制：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动、步进电机控制器和电动工具。
　　3. 负载开关：用于智能功率分配、电池管理系统（BMS）和负载隔离电路。
　　4. 同步整流器：在反激式和正激式开关电源中替代传统二极管，提高整机效率。
　　5. 逆变器与UPS系统：适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和储能系统中的功率开关。
　　6. 电动车相关应用：如电动自行车控制器、电池充放电管理模块等。