时间：2025/8/2 5:39:09
阅读：37
ZXTN25060BZQTA 是一款由 Diodes 公司（原 Zetex）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽式 MOS 技术制造，适用于高效的功率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等电路设计中。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：6A
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散（Ptot）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TSOT26
ZXTN25060BZQTA 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在 Vgs 为 10V 时，Rds(on) 最大为 55mΩ，而在较低的栅极电压（4.5V）下也能保持 75mΩ 的低阻值，使其适用于多种驱动条件。
该 MOSFET 采用 TSOT26 封装，具有良好的热性能和空间效率，适用于高密度 PCB 设计。同时，其 ±20V 的栅源电压耐受能力提高了器件在高噪声环境下的可靠性，防止栅极击穿。
ZXTN25060BZQTA 还具备快速开关能力，具有较低的输入和输出电容（Ciss 和 Coss），从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。此外，其高达 6A 的连续漏极电流能力使其适用于中等功率负载的应用，如电池管理系统、DC-DC 转换器和 LED 驱动电路。
该器件的热阻（Rth）较低，有助于在高负载条件下保持良好的散热性能，从而提高整体系统的稳定性和寿命。
ZXTN25060BZQTA 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高效能、小尺寸封装的场合。例如，它适用于便携式电子设备中的电池供电系统，作为负载开关或背光调节器使用。在电源管理领域，该器件可用于同步整流、DC-DC 转换器以及负载点（POL）电源模块的设计。
由于其快速开关特性，ZXTN25060BZQTA 也常用于电机控制、电源排序、热插拔电路以及 LED 照明驱动器。在工业自动化系统中，该 MOSFET 可用于继电器驱动、传感器电源控制和 PLC 输入输出模块的开关控制。
此外，该器件适用于汽车电子系统，如车身控制模块（BCM）、车载娱乐系统、车灯控制电路等，其宽工作温度范围确保了在极端环境下的稳定运行。
Si2302DS, FDN340P, AO3400, NDS355AN, FDS6675
