NE4210S01-T1 时间：2025/7/25 17:03:39 阅读：6

NE4210S01-T1 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的低噪声放大器（LNA），专为高频应用设计，适用于无线通信系统中的接收链前端。该器件采用了高性能的硅双极工艺，具备优异的噪声系数、高增益以及良好的线性性能，适用于各种无线基础设施设备、微波通信、测试仪器和其他射频系统。NE4210S01-T1 采用 SOT-343 封装，具有紧凑的尺寸和良好的热稳定性。

参数

类型：低噪声放大器（LNA）
　　频率范围：10 MHz - 4 GHz
　　增益：典型值16 dB
　　噪声系数：典型值0.55 dB
　　OIP3：典型值+18 dBm
　　工作电压：典型值3.0V - 5.5V
　　工作电流：典型值40 mA
　　封装类型：SOT-343
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

NE4210S01-T1 是一款性能卓越的低噪声放大器，广泛用于射频接收前端。其主要特性包括宽频率覆盖范围（从10 MHz到4 GHz），适用于多种无线通信标准，如GSM、WCDMA、LTE、WiMAX等。该器件具有非常低的噪声系数（典型值为0.55 dB），能够显著提升接收系统的灵敏度。其增益高达16 dB，且在工作频率范围内保持稳定，确保信号的高质量放大。此外，NE4210S01-T1 的线性性能优异，OIP3（三阶交调截点）达到+18 dBm，使其在高信号密度环境中仍能保持良好的抗干扰能力。
　　该放大器的工作电压范围为3.0V至5.5V，适用于多种供电条件，且功耗较低，典型电流为40 mA，适合用于功耗敏感的应用场景。其SOT-343封装形式不仅体积小巧，还具备良好的热稳定性和机械可靠性，适合高密度PCB布局。NE4210S01-T1 还具备良好的输入/输出回波损耗，50Ω的阻抗匹配简化了射频电路设计，提高了系统整体性能。

应用

NE4210S01-T1 适用于多种射频和无线通信系统中的低噪声放大场合。常见的应用包括蜂窝基站接收器前端、无线局域网（WLAN）、WiMAX、卫星通信、测试测量设备、便携式通信设备以及各种射频接收模块。由于其高增益、低噪声和宽频率响应，该器件也广泛用于射频识别（RFID）、物联网（IoT）设备及低功耗广域网（LPWAN）系统中。