C2012X5R1A475KT000N 是一款多层陶瓷电容器(MLCC),属于 X5R 温度特性系列。该型号采用片式封装,具有高稳定性和低等效串联电阻(ESR)的特点,适合用于滤波、耦合和旁路等多种应用场景。其小型化设计有助于节省电路板空间,并广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。
该型号中的具体参数可以从编码中解析:C 表示电容类别,2012 表示尺寸为 2.0mm x 1.2mm,X5R 表示温度特性(-55°C 至 +85°C,最大容量变化±15%),475 表示标称容量为 4.7μF,K 表示容差为±10%,T000N 表示电压等级和包装信息。
尺寸:2.0mm x 1.2mm
电容量:4.7μF
容差:±10%
额定电压:25V
温度范围:-55°C 至 +85°C
温度特性:X5R(容量变化±15%)
C2012X5R1A475KT000N 具备出色的电气性能和可靠性,能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值。由于采用了 X5R 介质材料,它在温度变化时的容量漂移较小,非常适合对稳定性要求较高的应用场合。
此外,这款电容器具有较低的 ESR 和 ESL(等效串联电感),能够有效抑制高频噪声并提供良好的高频特性。它的紧凑型设计使其非常适合现代小型化电子产品的需求,同时支持表面贴装工艺(SMT),便于自动化生产。
C2012X5R1A475KT000N 常用于各种电子设备中,主要作为电源滤波器、信号耦合器或去耦电容使用。具体应用场景包括:
1. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等;
2. 通信设备:如路由器、交换机和基站模块;
3. 工业控制设备:如 PLC 和变频器;
4. 音频设备:用作音频信号的耦合和滤波;
5. 汽车电子系统:如车载娱乐系统和传感器模块。
C2012X5R1C475M932N
C2012X5R1A475K500N
C2012X5R1A475K120N