时间：2025/8/11 17:59:01
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STB60B1是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。该器件采用先进的技术制造，具有低导通电阻、高电流能力和优良的热性能，适用于各种电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：120A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：1.75mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：140nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
STB60B1的主要特性包括：
1. **低导通电阻**：Rds(on)低至1.75mΩ，可减少导通损耗，提高系统效率。
2. **高电流能力**：可承受高达120A的连续漏极电流，适用于高功率应用。
3. **优化的热性能**：采用高导热封装材料，确保在高负载下仍能保持较低的温升。
4. **强健的结构设计**：具备高雪崩能量耐受能力，提高器件在瞬态过电压情况下的可靠性。
5. **高速开关特性**：低栅极电荷和快速开关响应，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
6. **广泛的工作温度范围**：支持-55°C至175°C的宽温度范围，适合工业和汽车应用。
STB60B1常用于以下应用场景：
1. **电源管理系统**：如服务器电源、电信设备电源等。
2. **DC-DC转换器**：用于高效能的电压转换系统。
3. **电机驱动和控制**：适用于工业自动化、机器人和电动工具等场合。
4. **电池管理系统**：用于电动汽车、储能系统中的充放电控制。
5. **负载开关和电源分配**：在高电流负载切换中提供可靠支持。
STB60N3LLH6, STB80N3LLH6
