ZXMN3A01E6TA
时间:2023/8/11 17:04:30
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概述
制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:过渡期间
配置:SingleQuadDrain
晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.18Ohms
汲极/源极击穿电压:30V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:3A
功率耗散:1.1W
最大工作温度:+150℃
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-6
封装:Reel
最小工作温度:-55℃
StandardPackQty:3000
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- ZXMN3A01E6TA
- 深圳成德兴科技有限公司
- 18630
- ZETEX/DIODES
- 2022+/SOT236
-
ZXMN3A01E6TA参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.4A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs3.9nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds190pF @ 25V
- 功率 - 最大1.1W
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SOT-23-6
- 供应商设备封装SOT-23-6
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称ZXMN3A01E6TR