时间：2025/8/2 8:27:29
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ZXTN25012EFHTA 是一款由 Diodes 公司（原 Zetex）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点。该器件广泛应用于电源管理和功率转换电路中，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等。ZXTN25012EFHTA 采用小型的 SOT-223 封装，适合需要高功率密度和紧凑布局的设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：5.5A
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：12mΩ @ VGS=4.5V
导通电阻（RDS(on)）：17mΩ @ VGS=2.5V
功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT-223
ZXTN25012EFHTA 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。在 4.5V 栅极电压下，RDS(on) 仅为 12mΩ，而在更低的 2.5V 栅极电压下，RDS(on) 为 17mΩ，这使得它适用于低电压驱动电路。
该 MOSFET 使用先进的沟槽式工艺制造，提供卓越的热性能和电气性能。SOT-223 封装不仅体积小巧，还具备良好的散热能力，适用于空间受限的 PCB 设计。此外，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，从而提高整体效率。
ZXTN25012EFHTA 的栅极驱动电压范围较宽，支持 2.5V 至 4.5V，这使得它能够兼容多种逻辑电平的控制电路，如 3.3V 或 5V 微控制器。这种灵活性使得该器件可以广泛应用于现代低功耗电子系统中。
该器件的热阻（RθJA）较低，有助于在高功率应用中保持稳定的温度性能。同时，其最大工作温度可达 +150°C，具有良好的热稳定性，适合工业级应用环境。
ZXTN25012EFHTA 常用于需要高效功率管理的场合。例如，在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为主开关器件，提供低损耗的功率传输路径。在负载开关应用中，它可以用于控制电源的通断，以实现节能和过载保护功能。此外，ZXTN25012EFHTA 也适用于电池管理系统、电机驱动电路和 LED 照明驱动电路等场景。
由于其低 RDS(on) 和高电流能力，该器件在便携式电子产品中也表现出色，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块。在这些应用中，高效的功率转换对于延长电池寿命至关重要。
工业自动化系统中，ZXTN25012EFHTA 可用于继电器替代、电机控制和传感器电源管理等场合。其高可靠性和宽工作温度范围使其在恶劣环境中也能稳定运行。
Si2301DS、FDN340P、AO3400A
