您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IPP80N06S2-09

IPP80N06S2-09 发布时间 时间:2025/7/3 17:22:57 查看 阅读:10

IPP80N06S2-09 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣道开关 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和高效率的特点,非常适合用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他功率转换应用。
  该型号属于 OptiMOS 系列,其设计旨在提供卓越的性能和可靠性,同时减少能量损耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:80A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关速度:快速
  封装类型:TO-247-3

特性

IPP80N06S2-09 的主要特点是低导通电阻,能够有效降低功率损耗,从而提高系统的整体效率。此外,该器件还具备较高的电流承载能力,确保在高负载条件下依然稳定运行。
  它采用了沟槽技术,使得单位面积内的电流密度更高,并且热阻较低,有助于散热。这种设计特别适合高频开关应用场景,因为它可以减少开关损耗。
  另外,Infineon 的 OptiMOS 系列产品通常具备良好的电磁兼容性(EMC),并且经过严格的测试流程,以确保其在恶劣环境下的可靠性和稳定性。

应用

IPP80N06S2-09 广泛应用于各种功率电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC/DC 转换器
  3. 电动工具中的电机驱动
  4. 太阳能逆变器
  5. 工业自动化设备
  6. 电动车充电系统
  这些应用领域都对高效、可靠和低功耗的功率器件有很高的需求,IPP80N06S2-09 在这些方面表现出色。

替代型号

IPP80N06S4-09, IPP80N06S3-09

IPP80N06S2-09推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IPP80N06S2-09参数

  • 数据列表IPB,IPP80N06S2-09
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.1 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 125µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2360pF @ 25V
  • 功率 - 最大190W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000218740