HMC1119LP4METR 时间：2025/5/23 17:51:38 阅读：9

HMC1119LP4METR是由Analog Devices（ADI）生产的一款高性能的GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器（LNA）。该芯片设计用于3.5GHz频段的应用，具有卓越的低噪声特性和高线性度。它采用紧凑的4引脚金属封装（LP4M），非常适合空间受限的设计场景。
　　该放大器在工作频率范围内表现出优异的增益和匹配性能，同时支持单电源供电，简化了电路设计。由于其出色的电气特性，HMC1119LP4METR广泛应用于无线通信基础设施、点对点无线电系统以及测试测量设备等领域。

参数

型号：HMC1119LP4METR
　　制造商：Analog Devices (ADI)
　　类型：GaAs pHEMT MMIC LNA
　　工作频率范围：3.4 GHz 至 3.6 GHz
　　增益：18 dB（典型值）
　　噪声系数：0.8 dB（典型值）
　　输入回波损耗：12 dB（最小值）
　　输出回波损耗：15 dB（最小值）
　　P1dB压缩点：+27 dBm（典型值）
　　IP3（三阶截距点）：+42 dBm（典型值）
　　供电电压：+4 VDC
　　工作电流：70 mA（典型值）
　　封装形式：LP4M金属封装
　　尺寸：1.7 x 1.7 mm

特性

HMC1119LP4METR的核心优势在于其卓越的射频性能。它在3.5GHz频段内提供了高达18dB的增益，并且保持极低的噪声系数仅为0.8dB。这种组合使其成为需要高灵敏度接收路径的理想选择。
　　此外，该器件具备出色的线性度，P1dB压缩点为+27dBm，三阶截距点（IP3）达到+42dBm，能够有效应对强信号环境下的非线性失真问题。
　　HMC1119LP4METR采用单电源供电模式，仅需+4V即可正常工作，功耗低至280mW（70mA x 4V）。这使得它特别适合便携式或对能效敏感的应用场景。
　　其紧凑的LP4M金属封装不仅减少了整体设计体积，还增强了热传导性能，确保长期稳定运行。
　　总的来说，HMC1119LP4METR是一款专为高性能无线应用设计的LNA，结合了高增益、低噪声、高线性度以及小型化封装等优点。

应用

HMC1119LP4METR适用于广泛的射频通信领域，包括但不限于：
　　1. 无线通信基站及中继器
　　2. 点对点微波链路系统
　　3. 测试与测量仪器
　　4. 卫星通信前端
　　5. 雷达接收机
　　6. 其他3.5GHz频段相关应用
　　凭借其优异的性能表现，这款低噪声放大器能够显著提升系统的整体接收灵敏度和动态范围，满足现代通信技术对于高速率、高质量数据传输的需求。