时间：2025/8/2 7:49:06
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ZXTN2011ZTA是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于高效能、小型化的电源设计。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
最大连续漏极电流（ID）：6A
最大耗散功率（PD）：1.4W
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（典型值，VGS=4.5V）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-223
ZXTN2011ZTA采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。该器件的高电流承载能力和良好的热性能使其非常适合用于高密度电源设计。此外，其SOT-223封装形式不仅节省空间，还便于在PCB上安装和散热管理。
该MOSFET具有快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高响应速度，适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的驱动电压，兼容多种控制电路。此外，ZXTN2011ZTA具有良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
ZXTN2011ZTA常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统、电源管理模块以及各种高效率电源应用。此外，该器件也适合用于工业自动化设备、消费类电子产品和便携式设备中的功率控制电路。
ZXTN2010FZTA, ZXMP6A13E6TA, BSS138K
