您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ZXTN2005GTA

ZXTN2005GTA 发布时间 时间:2025/8/2 8:08:35 查看 阅读:17

ZXTN2005GTA 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛用于各种电源管理应用中,具备低导通电阻(Rds(on))和高功率处理能力,适合在中高功率 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器等电路中使用。ZXTN2005GTA 采用 SOT223 封装,具有良好的散热性能,适用于表面贴装技术(SMT)。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):20V
  栅极-源极电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):5A
  最大导通电阻(Rds(on)):55mΩ(在 Vgs=4.5V 时)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT223

特性

ZXTN2005GTA 的核心特性之一是其低导通电阻,这使得它在导通状态下具有较低的功耗,从而提高了系统的整体效率。该器件的 Rds(on) 在 Vgs=4.5V 时仅为 55mΩ,使其在低压应用中表现出色。此外,ZXTN2005GTA 的最大漏极电流为 5A,适用于需要中等电流输出的电源管理电路。
  另一个显著特点是其高栅极-源极电压耐受能力,达到 ±12V,确保在各种驱动条件下不会发生栅极击穿。这种特性使其在使用 PWM(脉宽调制)控制的电源转换器中非常可靠。
  ZXTN2005GTA 还具有宽泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C),适合在恶劣环境中使用。例如,在汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中,它都能保持稳定的工作性能。
  该器件的 SOT223 封装不仅提供了良好的散热性能,还支持表面贴装工艺,降低了 PCB(印刷电路板)的制造成本,并提高了生产效率。

应用

ZXTN2005GTA 常见于各种电源管理系统中,尤其是在需要高效能和紧凑设计的场合。典型应用包括同步整流的 DC-DC 转换器、负载开关控制、电池供电设备的电源管理模块以及电机驱动电路。在消费电子产品中,它可用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源调节电路。
  此外,该 MOSFET 还适用于 LED 照明系统中的恒流控制电路、低电压电机控制和各种开关电源应用。由于其低导通电阻和高效率,ZXTN2005GTA 也被广泛用于便携式设备的电源管理模块,以延长电池寿命并减少发热问题。
  在工业控制领域,ZXTN2005GTA 可用于 PLC(可编程逻辑控制器)中的数字输出模块、传感器电源控制以及自动化设备的电源分配系统。

替代型号

ZXTN2005GTA 可以被 ZXTN2005GTC、ZXMHC3A050N8TC 和 FDN340P 等型号替代。这些器件在电气特性上与 ZXTN2005GTA 相似,具有相近的导通电阻、最大漏极电流和工作温度范围,适用于类似的电源管理应用。

ZXTN2005GTA推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ZXTN2005GTA资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

ZXTN2005GTA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)7A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)230mV @ 150mA,6.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)300 @ 1A,1V
  • 功率 - 最大3W
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXTN2005GTR