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DTC114EUAT106 发布时间 时间:2025/5/19 9:02:31 查看 阅读:5

DTC114EUAT106 是一款高性能的功率MOSFET晶体管,采用先进的制程工艺制造,主要应用于高效率电源转换、电机驱动以及开关电路等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,能够有效提升系统的整体效能和可靠性。
  此型号属于 DTC 系列,专为中高功率应用设计,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:65nC
  开关时间(开启/关闭):10ns/15ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

DTC114EUAT106 的关键特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高电流承载能力,可满足大功率需求。
  4. 优异的热稳定性,保证在高温条件下长期可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 耐雪崩能力强,增强在异常条件下的保护功能。

应用

该芯片适用于以下场景:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 太阳能逆变器和电动汽车的电池管理系统。
  5. 各种需要高效功率转换的应用领域。

替代型号

DTC114EUAH106, IRF840, FQP50N06L

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DTC114EUAT106参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC114EUAT106TR