时间：2025/8/2 8:06:13
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ZXTN19100CZTA 是由 Diodes 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率功率开关应用。这款器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场景。
类型：MOSFET（N沟道）
漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）：60A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：12.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V~3V
功率耗散（Pd）：200W
封装类型：TO-252（DPAK）
ZXTN19100CZTA MOSFET 采用了先进的沟槽式 MOS 技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了效率。
该器件支持高达 60A 的连续漏极电流，并具有出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
其低栅极电荷（Qg）特性使得开关损耗较低，非常适合高频开关应用。
此外，ZXTN19100CZTA 还具有良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在苛刻工作条件下的可靠性。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-252（也称为 DPAK），是一种表面贴装封装，适用于自动化装配流程，便于在 PCB 上安装和散热设计。
ZXTN19100CZTA 主要应用于需要高效率和高电流处理能力的场合，例如：
1. 同步整流 DC-DC 转换器和稳压器
2. 电源管理系统中的负载开关或热插拔控制
3. 电机驱动器和马达控制电路
4. 电池供电设备中的功率开关
5. 高速开关电源（SMPS）
6. 逆变器和 UPS 系统
其低导通电阻和高电流能力使其成为需要最小功率损耗和高可靠性的理想选择。
IRF1404、SiHHU19100E、FDMS8878、NTMFS4C10N、ZXTN19100CFTA
