时间：2025/6/28 20:53:19
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CBR08C909C5GAC是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率电子器件，属于增强型高电子迁移率晶体管（eGaN FET）。该器件采用了先进的GaN-on-Silicon制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和卓越的热性能。它适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、电机驱动、无线充电和太阳能逆变器等领域。
这款芯片在设计上结合了传统硅基MOSFET的优点，并克服了其开关损耗较高的问题，从而为电源系统提供了更高的效率和更小的尺寸。
型号：CBR08C909C5GAC
导通电阻（Rds(on)）：90mΩ（典型值，在Vgs=6V时）
击穿电压（BVDSS）：100V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.2V至4V
连续漏极电流（Id）：8A（典型值，在25°C时）
开关频率范围：高达5MHz
封装形式：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55°C至+175°C
CBR08C909C5GAC的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高开关频率支持，允许使用更小的磁性元件和电容器，从而减小整体解决方案的尺寸。
3. 出色的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
4. 快速开关速度，减少死区时间并优化动态性能。
5. 增强的安全操作区域（SOA），使其能够在各种负载条件下保持稳定工作。
6. 封装兼容性强，便于直接替代现有的硅基MOSFET解决方案。
CBR08C909C5GAC广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和USB-PD快充。
2. DC-DC转换器，用于电信、服务器和工业设备中的高效能量转换。
3. 汽车电子系统，包括车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电机控制器。
4. 可再生能源系统，例如微型逆变器和储能装置。
5. 无线充电发射端及接收端电路。
6. 高频谐振拓扑结构，例如LLC谐振转换器和有源钳位反激电路。
CBR06C100C5GAC
CRB08C100C5GAC
GAN063-650WSA
