时间：2025/8/22 19:27:01
阅读：22
SKT550F06DX是一款功率MOSFET晶体管，由东芝（Toshiba）制造。该器件专为高电流、高频应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及各种高效率功率电子设备中。该MOSFET为N沟道增强型，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于要求高效率和紧凑设计的电源系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大漏极电流（Id）：50A（在25°C下）
导通电阻（Rds(on)）：最大值约为0.018Ω（典型值可能更低）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：约1V~2.5V
工作温度范围：-55°C~150°C
封装形式：SMD（表面贴装封装，具体封装类型可因制造商而异）
功率耗散（Pd）：约100W
SKT550F06DX的主要特性包括极低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备高电流承载能力，适用于高功率密度设计。其增强型N沟道结构确保了在零栅极电压下器件处于关闭状态，提高了系统安全性。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适合工业级应用要求。由于其SMD封装形式，该器件易于集成到PCB设计中，适用于自动化装配流程。
该MOSFET常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统、工业电源、服务器电源、UPS系统以及汽车电子中的功率控制模块。
TKA550F06D3,TJA550F06D3
