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HY5PS12821CFP-S5 发布时间 时间:2025/9/2 5:43:22 查看 阅读:1

HY5PS12821CFP-S5 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高性能DRAM芯片,属于PSRAM(Pseudo Static RAM)类别。PSRAM结合了SRAM接口和DRAM内核,提供了类似SRAM的操作方式,但内部使用了DRAM存储单元,从而在保持较低功耗的同时实现了较高的存储密度。该型号的封装为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于需要中高密度存储的应用场景。

参数

容量:128Mbit
  组织方式:16M x 8位
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns(最大)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  接口类型:异步(Asynchronous)
  刷新模式:自动刷新
  最大工作频率:166MHz

特性

HY5PS12821CFP-S5具有多项优异特性,适用于多种嵌入式系统和便携式设备。其采用的PSRAM架构使得该芯片在操作上类似于静态RAM(SRAM),具备简单的异步接口,无需复杂的DRAM控制器即可进行读写操作。这种特性极大地简化了系统设计,并降低了硬件成本。此外,芯片内部集成了刷新电路,支持自动刷新模式,进一步减少了外部控制的复杂性。
  该芯片的工作电压范围较宽,为2.3V至3.6V,使其适用于多种电源环境,包括电池供电设备。低功耗设计使其在待机模式下功耗极低,非常适合对功耗敏感的应用,如便携式电子产品、智能卡终端和工业控制系统。
  HY5PS12821CFP-S5采用TSOP封装,体积小且散热性能良好,适合高密度PCB布局。其54引脚的封装形式提供了良好的电气性能和机械稳定性,确保在各种工作环境下都能稳定运行。此外,该芯片支持高达166MHz的工作频率,能够满足高速数据存取的需求,适用于图像缓冲、数据缓存等需要快速响应的应用场景。
  该芯片还具备较强的抗干扰能力和稳定性,能够在恶劣的电磁环境中保持正常工作。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级和车载级应用,确保在极端温度条件下依然具有可靠的性能。

应用

HY5PS12821CFP-S5广泛应用于需要中高密度、低功耗、高速缓存的嵌入式系统和便携式设备中。典型应用包括数码相机、多媒体播放器、工业控制设备、通信模块、智能仪表、车载导航系统以及各种需要缓存或临时数据存储的嵌入式系统。由于其异步接口和简单的控制逻辑,也非常适合用于需要与微控制器(MCU)或嵌入式处理器直接连接的设计。

替代型号

IS66WV1288BLL-55NLI, CY7C1019GSZ18BVGI, ISSI IS61WV12816BLL-55BLLI

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