您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ZXTN19020CFFTA

ZXTN19020CFFTA 发布时间 时间:2025/12/26 10:29:10 查看 阅读:8

ZXTN19020CFFTA是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,专为高效率和高性能电源管理应用而设计。该器件封装在紧凑的DFN2020-6(SOT1118)封装中,具有低导通电阻、优异的热性能和高功率密度的特点,适用于空间受限但对电气性能要求较高的便携式电子设备。其主要优势在于能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的开关操作,支持逻辑电平控制,适合与现代微控制器或数字信号处理器直接接口。
  该MOSFET特别优化用于负载开关、电池供电系统中的电源路径管理以及DC-DC转换器等应用场景。由于采用了先进的封装技术,ZXTN19020CFFTA具备良好的散热能力,即使在高电流负载条件下也能保持稳定运行。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证,使其不仅适用于消费类电子产品,还可广泛应用于汽车电子系统中,如车载信息娱乐系统、车身控制模块和LED照明驱动电路。
  为了确保长期可靠性和稳定性,ZXTN19020CFFTA在生产过程中经过严格的测试和筛选,能够在宽温度范围内正常工作,适应恶劣的工作环境。其低阈值电压特性允许使用3.3V甚至更低的逻辑电平进行有效驱动,从而简化了外围驱动电路的设计,降低了整体系统成本。同时,该器件还具备出色的抗雪崩能力和静电放电(ESD)保护性能,提高了系统的鲁棒性。

参数

型号:ZXTN19020CFFTA
  通道类型:P沟道
  最大漏源电压(VDS):-20V
  连续漏极电流(ID) @ 25°C:-4.2A
  脉冲漏极电流(IDM):-12A
  最大漏源导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -4.5V:40mΩ
  最大漏源导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -2.5V:50mΩ
  最大漏源导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -1.8V:70mΩ
  栅极阈值电压(VGS(th)):-0.85V ~ -1.4V
  输入电容(Ciss):320pF @ VDS = 10V
  反向恢复时间(trr):16ns
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  封装/外壳:DFN2020-6 (SOT1118)

特性

ZXTN19020CFFTA采用先进的沟槽型MOSFET工艺,具备极低的导通电阻,这使得它在大电流应用中能够显著降低传导损耗,提高整体能效。其RDS(on)在VGS = -4.5V时仅为40mΩ,在同类P沟道器件中处于领先水平,尤其适合用于电池供电设备中作为负载开关或反向极性保护元件。低导通电阻意味着更少的发热,有助于提升系统可靠性并减少对额外散热措施的需求。
  该器件支持逻辑电平驱动,栅极阈值电压范围为-0.85V至-1.4V,可在低至1.8V的栅极驱动电压下正常开启,因此非常适合与现代低电压微控制器配合使用,无需额外的电平转换电路。这一特性极大地简化了系统设计,降低了BOM成本,并提升了集成度。同时,其快速的开关速度得益于较低的栅极电荷(典型Qg为6.5nC)和输入电容(Ciss=320pF),可实现高频PWM控制下的高效运行,适用于同步整流、H桥驱动及DC-DC buck变换器等拓扑结构。
  ZXTN19020CFFTA采用DFN2020-6小型化封装,尺寸仅为2.0mm x 2.0mm x 0.75mm,极大节省PCB布局空间,满足便携式设备对小型化和轻薄化的需求。该封装具有优异的热传导性能,底部带有裸露焊盘,可通过PCB上的热过孔将热量迅速导出,从而有效控制芯片结温。此外,该器件具备良好的抗瞬态过压能力,内置二极管可承受一定的反向电流,增强了在感性负载切换时的鲁棒性。
  该MOSFET通过AEC-Q101认证,表明其在高温、高湿、机械振动和温度循环等严苛环境下仍能保持稳定的电气性能和长期可靠性,适用于汽车电子领域。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C,确保在极端气候条件下仍可安全运行。同时,产品符合RoHS指令,不含铅和有害物质,支持无铅回流焊工艺,适应现代绿色制造要求。

应用

ZXTN19020CFFTA广泛应用于需要高效、小尺寸P沟道MOSFET的各种电源管理系统中。典型应用包括移动设备中的负载开关,用于控制不同功能模块的供电通断,以实现节能待机或系统复位;在电池供电系统中作为高端开关,实现电池反接保护和电源路径管理;在DC-DC降压转换器中用作上管开关,尤其是在非同步buck拓扑中替代传统肖特基二极管以提升效率。
  该器件也常用于便携式消费电子产品,如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等,用于电源轨切换、USB电源控制和背光驱动等功能。由于其支持逻辑电平驱动,可以直接由3.3V或1.8V GPIO引脚控制,无需额外驱动IC,简化了电路设计。在工业控制系统中,可用于继电器驱动、电机控制单元和传感器供电管理模块。
  在汽车电子领域,ZXTN19020CFFTA可用于车身控制模块(BCM)、车内照明控制、车窗升降器驱动电路以及车载充电器中的电源管理部分。其AEC-Q101认证和宽温工作能力使其能够在发动机舱附近或仪表台内部等高温环境中稳定运行。此外,也可用于LED照明驱动电路中作为恒流开关管,提供精确的亮灭控制和调光功能。

替代型号

ZXMN1A02F
  FDMC8228
  AOZ5211PI

ZXTN19020CFFTA推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ZXTN19020CFFTA资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

ZXTN19020CFFTA参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)7A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)175mV @ 280mA,7A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-3 扁平引线
  • 供应商设备封装SOT-23F
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXTN19020CFFTR