时间：2025/8/2 8:26:18
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ZXTN10150DZTA 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和较高的电流承载能力。ZXTN10150DZTA 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）@25°C：11A
导通电阻（Rds(on)）：0.015Ω @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：0.019Ω @ Vgs=4.5V
功率耗散（Pd）：3.2W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN2020（5-SMD，无引脚）
ZXTN10150DZTA 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件在 Vgs=10V 时的 Rds(on) 仅为 0.015Ω，在 Vgs=4.5V 时为 0.019Ω，表明其在较低栅极电压下仍能保持良好的导通性能。
此外，该 MOSFET 支持高达 11A 的漏极电流（在 25°C 下），适用于中高功率应用。其最大漏源电压为 100V，可支持多种电源拓扑结构，如升压、降压和同步整流等。
ZXTN10150DZTA 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，确保了良好的热稳定性和高频性能。它的封装为 DFN2020（5-SMD，无引脚），具有较小的封装尺寸和良好的热管理能力，适合高密度 PCB 设计。
该器件还具备良好的雪崩能量承受能力，提高了在高应力工作环境下的可靠性。此外，ZXTN10150DZTA 具有低栅极电荷（Qg）特性，有助于减少开关损耗并提高开关速度，适用于高频开关应用。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V，支持标准 10V 和较低的 4.5V 驱动电压，使其适用于多种栅极驱动器设计。
ZXTN10150DZTA 广泛应用于各种电源管理系统和功率开关电路中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及各种电池供电设备。
在 DC-DC 转换器中，该器件用于高侧或低侧开关，提供高效率和低导通损耗。在电机控制应用中，ZXTN10150DZTA 可用于 H 桥电路中的功率开关元件，实现电机的正反转和制动控制。
由于其高电流能力和低导通电阻，ZXTN10150DZTA 也适用于需要高效率和紧凑设计的电源模块和电源适配器中。此外，该器件在工业自动化设备、汽车电子系统和消费类电子产品中均有广泛应用。
SiSS115N10N-T1-GE3, FDS4435B, NexFET CSD17551Q5A, IPB015N10N3 G
