类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-2.6A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-8A
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：55mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻RDS(on)：80mΩ @ VGS = -1.8V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.45V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：320pF @ VDS = 10V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS = 10V
　　输出电容（Coss）：210pF @ VDS = 10V
　　开启时间（Ton）：约15ns
　　关断时间（Toff）：约25ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23 (SC-59)
　　安装方式：表面贴装

ZXT790AKTC采用先进的沟道设计和高密度沟槽工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。其在-4.5V栅极驱动下的典型RDS(on)仅为45mΩ，在-2.5V下为55mΩ，这使得它即使在低电压驱动条件下也能保持出色的导通性能，非常适合用于3.3V或更低电压的逻辑控制系统中作为负载开关或电源管理元件。
　　该器件具备良好的开关特性，输入电容和反向传输电容较小，有助于减少驱动电路的负担并提高开关速度。其开启时间约为15ns，关断时间约为25ns，能够在高频开关应用中有效降低动态损耗，适用于DC-DC转换器、同步整流等对响应速度要求较高的场合。同时，较低的栅极电荷（Qg）进一步提升了其在高频环境下的能效表现。
　　热稳定性方面，ZXT790AKTC能够在高达+150°C的结温下正常工作，具备优异的散热能力和长期运行可靠性。其封装结构优化了热阻路径，使热量能够快速从芯片传导至PCB，从而延长器件寿命并提升系统安全性。此外，该MOSFET具有较强的抗静电（ESD）能力，HBM模型下可达±2000V，增强了在装配和使用过程中的耐用性。
　　由于其P沟道特性，ZXT790AKTC常被用作高端开关，尤其适用于电池供电设备中的电源通断控制。相比N沟道MOSFET在高端应用中需要复杂的电平移位驱动电路，P沟道器件可以直接由逻辑信号控制，简化了设计复杂度。同时，其负的栅极阈值电压范围合理，避免了误触发问题，提升了系统稳定性。

ZXT790AKTC广泛应用于多种低压、小功率电子系统中，尤其是在需要紧凑布局和高效能转换的场合。常见应用包括便携式设备中的电池电源管理，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于控制电池与系统之间的连接，实现待机模式下的零功耗断电功能。
　　在DC-DC转换器拓扑中，该器件可用于同步整流或低端开关配置，特别是在非隔离式降压（Buck）变换器中作为续流二极管的替代方案，以降低导通压降和提高整体转换效率。此外，它也可用于负载开关电路，配合控制器实现对外设电源的精确启停控制，防止浪涌电流影响主电源轨。
　　工业控制领域中，ZXT790AKTC可用于传感器模块、数据采集系统和PLC输入输出单元的信号切换与隔离。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，适合在恶劣环境下长期运行。
　　在消费类电子产品如无线耳机、智能手表、IoT终端设备中，该MOSFET常用于LDO使能控制、显示屏背光开关、USB端口电源管理等功能模块，帮助实现精细化的能耗管理。同时，其SOT-23封装便于自动化贴片生产，支持高密度PCB布局，满足现代电子产品小型化趋势的需求。