ZXT790AK 时间：2025/12/26 11:20:00 阅读：24

ZXT790AK是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT-23封装，适用于低电压、低功耗的开关和放大应用。该器件设计用于在高密度印刷电路板（PCB）布局中提供高效的功率控制解决方案，尤其适合便携式电子设备中的电源管理功能。ZXT790AK具有低栅极电荷和低导通电阻的特点，使其在开关速度和功耗之间实现了良好的平衡。其P沟道结构允许在高端或低端开关配置中使用，无需额外的驱动电路即可实现简单的逻辑电平控制。该MOSFET常用于电池供电系统、负载开关、LED驱动以及各种DC-DC转换拓扑中。
　　由于采用了先进的沟槽技术，ZXT790AK能够在较小的封装尺寸下提供优异的热性能和电气性能。SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的散热能力，适合自动化贴片生产流程。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。制造商提供了完整的数据手册和技术支持文档，便于工程师进行电路设计与仿真验证。

参数

类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：-12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.9A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：85mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1.2V
　　栅极电荷（Qg）：5.8nC @ VGS = -10V
　　输入电容（Ciss）：300pF @ VDS = -10V
　　开启时间（Ton）：约12ns
　　关断时间（Toff）：约28ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

ZXT790AK的显著特性之一是其优化的导通电阻与栅极电荷之间的权衡，这使得它在高频开关应用中表现出色。在VGS为-4.5V时，其典型RDS(on)仅为65mΩ，这意味着在导通状态下能量损耗极低，有助于提高整体系统效率。同时，较低的栅极电荷（Qg = 5.8nC）减少了驱动电路所需的瞬时电流，降低了控制器的负担，并提升了开关响应速度。这种组合特别适用于需要快速切换且对能效敏感的应用场景，如智能手机中的背光控制或可穿戴设备的电源管理模块。
　　该器件的阈值电压范围为-0.6V至-1.2V，确保了在低电压逻辑信号下仍能可靠开启，兼容3.3V甚至更低的微控制器输出电平。这一特性使得ZXT790AK可以直接由数字IC驱动，无需额外的电平转换或推挽驱动电路，从而简化了外围设计并减少了元件数量。此外，其高达-20V的漏源击穿电压提供了足够的安全裕度，能够应对瞬态电压波动，增强了系统的鲁棒性。
　　热稳定性方面，ZXT790AK的工作结温可达+150°C，支持在严苛环境下长期运行。SOT-23封装虽然体积小巧，但通过合理的PCB布局（如增加铜箔面积）可以有效散热，避免局部过热导致性能下降。器件还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护能力，进一步提升了在实际应用中的可靠性。所有这些特性共同使ZXT790AK成为消费类电子、工业控制和通信设备中理想的功率开关选择。

应用

ZXT790AK广泛应用于各类小型化、低功耗电子系统中，特别是在需要高效电源控制的场合。常见用途包括便携式设备中的电池电源开关，用于在待机或关机模式下切断负载供电以延长续航时间。它也常被用作负载开关，在系统启动或关闭过程中控制不同子系统的上电顺序，防止浪涌电流冲击主电源轨。此外，该器件可用于LED指示灯或背光驱动电路中，作为恒流源的开关元件，实现亮度调节或动态控制。
　　在DC-DC转换器拓扑中，ZXT790AK可作为同步整流器使用，替代传统二极管以降低压降和功耗，从而提升转换效率。尤其在降压（Buck）变换器的低端开关位置，其P沟道特性允许直接由控制器驱动，简化了驱动电路设计。该器件也适用于过压或过流保护电路中的通断控制元件，配合检测电路实现自动断电保护功能。
　　其他应用场景还包括USB端口的电源管理、传感器模块的供电控制、音频设备中的静音开关以及各类IoT节点设备中的节能控制。由于其小封装和高性能特点，ZXT790AK非常适合高密度PCB布局和自动化贴装工艺，广泛服务于消费电子、智能家居、医疗仪器和工业自动化等领域。