时间：2025/9/6 22:07:41
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HD25L113-00是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片专为高性能存储应用设计，具备较高的数据存取速度和稳定性。HD25L113-00采用标准的DRAM架构，适用于需要高速内存访问的电子设备，如计算机主板、嵌入式系统、网络设备等。
容量：16MB
组织方式：1M x16
工作电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
访问时间：5.4ns（最大）
刷新周期：64ms
数据保持电压：1.5V
最大工作频率：166MHz
HD25L113-00是一款高性能的DRAM芯片，具备快速的访问时间和低延迟特性，适用于对内存访问速度要求较高的应用场景。该芯片支持异步操作，能够适应不同的系统时钟频率，提供灵活的接口配置选项。此外，HD25L113-00具备低功耗特性，在待机模式下功耗极低，适合用于对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。
该芯片还内置了自动刷新和自刷新功能，能够在不增加系统负担的情况下维持数据完整性，从而简化了内存管理的复杂度。TSOP封装设计不仅提高了芯片的机械稳定性和散热性能，也便于在高密度PCB布局中使用。HD25L113-00符合工业级温度标准，能够在严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、通信设备、消费电子等多种应用领域。
HD25L113-00广泛应用于需要高速、低功耗存储的电子设备中。典型应用包括嵌入式系统中的主存储器、工业控制设备、通信模块、网络路由器和交换机、视频处理设备以及手持终端等。该芯片的高可靠性和宽温度范围特性使其特别适合用于对稳定性和耐久性有较高要求的工业和通信领域。
HY62V1008BLL-553
