时间：2025/8/6 16:59:40
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ZXMS81045SPQ是一款由Diodes Incorporated（达尔科技）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件设计用于高效率、高频率的DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。ZXMS81045SPQ采用先进的沟槽MOSFET技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，适用于需要高效能和紧凑封装的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：15A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大34mΩ（在VGS=10V时）
封装类型：DFN5x6
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散（PD）：58W
栅极电荷（Qg）：29nC
ZXMS81045SPQ采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得其在高频率和高效率的应用中表现出色。该器件的低导通电阻有助于减少导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，其高电流承载能力（15A）和较低的热阻使其在高负载条件下依然保持稳定运行。
这款MOSFET的封装采用DFN5x6形式，提供较小的封装尺寸和良好的热管理能力，适用于空间受限的设计。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）也确保了其在极端环境下的可靠性。
ZXMS81045SPQ还具备优异的开关性能，适合用于高频开关电路，减少开关损耗。其栅极电荷（Qg）为29nC，意味着在开关过程中所需能量较低，有助于提升开关速度并降低功耗。
此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电系统等。
ZXMS81045SPQ广泛应用于各类功率电子设备中，尤其是在需要高效率和小尺寸封装的场合。典型应用包括同步整流DC-DC降压/升压转换器、负载开关电路、电机驱动器、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制设备。
该器件也适用于需要高频率工作的电源适配器、便携式电子产品和汽车电子系统。其优异的热性能和电气特性使其成为高可靠性应用的理想选择。
IRF3205, Si4410DY, FDS4410A
