容量：256MB（16M×16位）
　　组织结构：x16
　　工作电压：2.3V～3.6V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40℃～+85℃）
　　接口类型：并行接口
　　时钟频率：166MHz
　　数据宽度：16位
　　刷新方式：自动刷新/自刷新
　　功耗：低功耗模式支持

HY57V161610ETP8是一款高性能的同步动态随机存取存储器（SDRAM），其设计采用了先进的CMOS技术，以确保在高速运行时仍能保持较低的功耗。该芯片支持自动刷新和自刷新两种刷新方式，能够在不中断系统运行的情况下完成数据的维护，从而提高系统的稳定性和可靠性。此外，其TSOP封装形式有助于减少封装体积，同时提高散热性能，适合在空间受限的设备中使用。
　　该芯片的16位数据宽度和166MHz的时钟频率使其能够提供高达266MB/s的数据传输速率，满足高速数据处理的需求。其工作电压范围为2.3V至3.6V，允许在多种电源条件下正常运行，具有良好的兼容性。同时，该芯片支持工业级温度范围（-40℃～+85℃），能够在严苛的环境条件下稳定工作，适用于工业控制、通信设备等对可靠性要求较高的应用场合。
　　此外，HY57V161610ETP8还具备良好的兼容性，能够与多种主控芯片配合使用，简化了系统设计和开发流程。其并行接口设计也便于与传统系统进行连接，降低了硬件设计的复杂度。

HY57V161610ETP8广泛应用于需要较大内存容量和高速数据访问的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品等领域。例如，在路由器和交换机中，该芯片可用于缓存数据包，提高数据转发效率；在工业控制系统中，可用于存储运行时数据和程序代码；在多媒体设备中，可用于缓存音视频数据，提升播放流畅度。由于其良好的性能和稳定性，HY57V161610ETP8也常用于测试设备、医疗仪器、安防监控设备等对可靠性要求较高的专业领域。

IS42S16160B-6T、K4S641632C-TC75、MT48LC16M2A2B4-6A、CY7C1315KV18-6A、A2VDD1616C403C