类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：-4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　导通电阻（Rds(on)）@ Vgs = -4.5V：20mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@ Vgs = -2.5V：26mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@ Vgs = -1.8V：33mΩ
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：500pF
　　输出电容（Coss）：230pF
　　反向传输电容（Crss）：50pF
　　开启时间（Ton）：~15ns
　　关闭时间（Toff）：~25ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

ZXMS6004FF采用先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻（Rds(on)），使其在同类P沟道器件中表现出优异的导通性能。在-4.5V的栅极驱动电压下，其典型Rds(on)仅为20mΩ，在-2.5V时为26mΩ，这使得它即使在低电压逻辑驱动条件下也能保持较低的导通损耗，适用于3.3V或更低电压系统的电源开关控制。这种低Rds(on)特性对于提高电源效率、减少发热至关重要，特别是在高电流负载场合。
　　该器件的栅极阈值电压范围为-0.8V至-1.4V，确保了良好的器件一致性与可靠性，同时允许使用标准的微控制器GPIO直接驱动，无需额外的驱动电路。其输入电容约为500pF，输出电容230pF，反向传输电容50pF，这些参数表明其具备较快的开关速度，适合高频开关应用。开启时间约为15ns，关闭时间约25ns，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升整体系统效率。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度PCB布局，而且具备良好的散热性能，通过适当的PCB铜箔设计可有效传导热量。该器件支持-55°C到+150°C的工作结温范围，能够在严苛的环境条件下稳定运行。此外，ZXMS6004FF具有优良的雪崩耐受能力和抗静电能力（ESD保护），增强了其在实际应用中的鲁棒性。所有这些特性共同使ZXMS6004FF成为高性能、高可靠性的理想选择，广泛应用于负载开关、电池管理、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。

ZXMS6004FF广泛应用于各类需要高效P沟道功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于控制电池供电路径或实现多电源之间的切换。由于其低导通电阻和逻辑电平驱动能力，它常被用作高端开关来控制负载的供电，例如在USB电源开关、LCD背光控制或传感器电源管理中发挥关键作用。
　　在电池供电系统中，ZXMS6004FF可用于防止反向电流流动，实现电池反接保护功能。其快速开关特性也使其适用于同步降压变换器中的上管开关，尤其是在轻载或待机模式下需要高效率的场合。此外，该器件还广泛用于各类DC-DC转换器、LDO后级开关、热插拔电路以及电机驱动电路中的H桥结构。
　　由于其小型化封装和高可靠性，ZXMS6004FF同样适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中的信号切换与功率分配任务。例如，在I/O扩展器或微控制器外设供电控制中，它可以作为独立的电源门控元件，帮助降低待机功耗，延长电池寿命。总体而言，凡是需要一个低Rds(on)、小封装、易于驱动的P沟道MOSFET的场合，ZXMS6004FF都是一个极具竞争力的选择。

ZXM60N04FHTA
　　DMG2304UW-7
　　SI2301-DS-E3
　　FDC630P
　　NTR2P02X