ZXMS6004DG 时间：2025/8/20 17:27:00 阅读：17

ZXMS6004DG是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种电源管理和开关应用。该器件采用小型SO-8封装，具有低导通电阻、高可靠性和优异的热性能。ZXMS6004DG常用于负载开关、DC-DC转换器、电池供电设备以及需要高效能和低功耗的电路中。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4A
　　导通电阻（RDS(ON)）：典型值为30mΩ（VGS = -10V）
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装：SO-8

特性

ZXMS6004DG具备多个优异特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在VGS为-10V时，RDS(ON)的典型值仅为30mΩ，适合高效率的开关应用。其次，该器件支持-4A的连续漏极电流，能够在中等功率负载下稳定运行。此外，ZXMS6004DG具有宽泛的栅极电压容限（±20V），提高了其在不同电路环境下的兼容性和稳定性。其SO-8封装不仅节省空间，而且具备良好的热管理能力，有助于在高负载条件下保持较低的结温。ZXMS6004DG的额定工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种严苛的工作环境，包括工业级温度条件。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺和环保型电子产品制造。

应用

ZXMS6004DG广泛应用于需要高效电源管理和负载开关控制的电子系统中。常见的应用包括便携式电池供电设备（如智能手机、平板电脑和无线传感器）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、LED照明控制以及工业自动化设备中的电源开关模块。由于其高可靠性和紧凑的封装，ZXMS6004DG也常用于需要热插拔保护和电源路径管理的系统中。