时间：2025/8/5 19:15:09
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IXFN73N20是一款高性能的N沟道功率MOSFET，由IXYS公司生产。该器件专为高电压、高电流应用设计，具有出色的导通特性和快速的开关性能，广泛用于电源管理、逆变器、电机控制和DC-DC转换器等电力电子系统中。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：73A
漏源击穿电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.036Ω（在VGS=10V时）
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
IXFN73N20具备低导通电阻特性，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的平面技术，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。其高电流承载能力（73A）使其适用于大功率负载应用。
此外，该MOSFET具有高耐压能力（200V），能够在高压环境下稳定工作。其±20V的栅源电压容限提高了在复杂驱动条件下的安全性。IXFN73N20的封装设计优化了散热性能，支持高功率密度设计。
该器件的开关速度快，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用。其优异的雪崩能量耐受能力增强了在电压瞬变环境中的可靠性。整体来看，IXFN73N20是一款性能稳定、适应性广的功率MOSFET。
IXFN73N20广泛应用于多种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备。其高耐压和高电流能力也使其适合用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电模块。
IXFH73N20P, IXFT73N20P, IRFP4668, APT73N20B
