时间：2025/12/26 22:57:51
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Q6010L555 是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的高电压、高电流达林顿晶体管阵列芯片，常用于需要驱动大功率负载的场合。该器件集成了多个达林顿对管结构，具备较高的电流增益和良好的开关特性，适合在数字控制与模拟输出之间起到桥梁作用。Q6010L555 通常采用多引脚 DIP 或表面贴装封装形式，广泛应用于工业控制、继电器驱动、LED 显示屏、步进电机控制等领域。其内部结构包含钳位二极管，可有效保护外部感性负载在关断时产生的反向电动势对电路造成损害。该芯片的设计符合 RoHS 环保标准，具有良好的温度稳定性和长期工作可靠性，适用于恶劣环境下的自动化系统中。由于其高集成度和强驱动能力，Q6010L555 成为许多嵌入式控制系统中的关键组件之一。
类型：达林顿晶体管阵列
通道数：7 路
最大集电极电压：50V
最大集电极电流（每通道）：500mA
峰值电流（每通道）：600mA
饱和电压（VCE(sat)）：1.1V（典型值）
电流增益（hFE）：1000（最小值）
输入电阻：内置2.7kΩ基极限流电阻（每通道）
功耗：625mW
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：DIP-16 或 SOIC-16
钳位二极管：集成续流二极管
