KIA6042S 时间：2025/9/11 17:24:39 阅读：19

KIA6042S 是一款由KEC（韩国电子部件公司）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供较低的导通电阻和高效的开关性能。KIA6042S具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适用于中高功率的电子设备设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃～175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

KIA6042S 采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），有效降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力（高达120A）使其适用于高功率密度设计，如电源适配器、电机驱动和电池管理系统。此外，该器件具有优良的热性能，封装设计有助于快速散热，确保在高温环境下仍能稳定运行。
　　KIA6042S 的栅极驱动电压范围较宽（通常在10V左右驱动），便于与多种控制电路兼容。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，增强了器件在高能量开关应用中的可靠性。其TO-263表面贴装封装形式不仅便于自动化装配，还提供了良好的电气连接和机械稳定性。