类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：160A（Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为3.7mΩ（在Vgs=10V时）

PJS6404具有多项显著特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为3.7mΩ，这对于需要高效率和低热量产生的应用非常关键。此外，该MOSFET具有高电流承载能力，其连续漏极电流可达160A，这使其适用于高功率应用，如电源管理、DC-DC转换器和电动工具控制电路。
　　该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了在高频开关条件下的稳定性和可靠性。TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的热管理，还简化了PCB布局，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率。此外，PJS6404的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许在不同驱动条件下灵活使用，同时具备较强的抗干扰能力。
　　从热管理角度来看，PJS6404的封装设计能够有效散热，确保在高负载情况下仍能保持稳定运行。其工作温度范围为-55℃至150℃，适合在各种环境条件下使用，包括工业级和汽车电子应用。此外，PJS6404的结构设计也优化了短路和过载保护性能，提高了整体系统的稳定性和寿命。

PJS6404广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和消费类电子产品。在电源管理方面，该MOSFET常用于同步整流、功率因数校正（PFC）电路和高效率电源适配器。在DC-DC转换器中，PJS6404的低Rds(on)和高电流能力使其成为理想的开关元件，适用于升压（Boost）、降压（Buck）和升降压（Buck-Boost）拓扑结构。
　　在电机控制应用中，PJS6404可用于驱动直流无刷电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机，提供高效的功率输出和稳定的运行性能。此外，它也常用于电池管理系统（BMS），作为高侧或低侧开关，控制电池充放电过程，确保电池组的安全运行。在工业自动化设备中，该MOSFET可作为负载开关，用于控制各种执行器、继电器和传感器的电源供应。
　　由于其高可靠性和良好的热管理性能，PJS6404也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统（EPS）。此外，在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源插座等设备中，PJS6404也常用于电源管理、USB PD快充和负载开关控制。

SiR178DP-T1-GE3, SQJA40EP-T1_GE3, FDD8880, IPB019N06N3 G