时间：2025/5/12 11:47:36
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L1SS226LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的瞬态电压抑制器（TVS）二极管阵列，主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态电压的损害。该器件采用超小型 SOT-23-6 封装，适合用于便携式和空间受限的应用场景。
工作电压：5.8V
峰值脉冲电流：±20A
箝位电压：27V
响应时间：≤1ns
结电容：15pF
漏电流：≤1μA（最大值，在20V下测量）
封装类型：SOT-23-6
工作温度范围：-55℃至+150℃
L1SS226LT1G 提供卓越的 ESD 保护性能，符合 IEC61000-4-2 国际标准，能够承受 ±15kV（空气放电）和 ±8kV（接触放电）的静电冲击。
该器件具有极低的箝位电压，可有效减少瞬态电压对下游电路的影响。
其封装小巧，引脚设计合理，非常适合需要高密度布局的电路板。
L1SS226LT1G 的结电容较低，能够确保信号完整性，尤其适用于高速数据线路。
此外，它具备双向保护功能，可以灵活应用于各种单端或差分信号线的保护需求。
L1SS226LT1G 广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制领域中，具体包括：
USB 接口保护
HDMI 和 DisplayPort 数据线保护
音频和视频接口保护
以太网 PHY 端口保护
RS-232/RS-485 串行通信线路保护
手持设备中的天线端口保护
其他需要高性能 ESD 防护的场景
