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ZXMP6A18KTC 发布时间 时间:2025/5/26 16:36:48 查看 阅读:9

ZXMP6A18KTC是一款高性能、低功耗的PMOS功率开关晶体管,广泛应用于电源管理、负载开关、过流保护等电路中。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供较低的导通电阻和较高的切换速度,从而优化了系统的效率与性能。
  这款PMOS晶体管具有出色的耐热性和稳定性,适用于各种严苛的工作环境。同时,其紧凑的封装形式也使其非常适合于空间受限的设计场景。

参数

类型:PMOS
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):-24A
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ
  总功耗(Ptot):19W
  工作温度范围(Ta):-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-263-3

特性

ZXMP6A18KTC具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
  4. 强大的过电流能力,确保在异常情况下仍然具备良好的保护功能。
  5. 小型化封装设计,节省PCB布局空间,便于集成到复杂电路中。

应用

该元器件主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源中的同步整流。
  2. 各类DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的高侧或低侧开关。
  4. 电池管理系统中的负载开关。
  5. 过压、过流保护电路。
  6. 工业控制设备及汽车电子中的功率分配模块。

替代型号

IRF9540N, SI4466DP, BSS84P

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ZXMP6A18KTC参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C55 毫欧 @ 3.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1580pF @ 30V
  • 功率 - 最大2.15W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMP6A18KTC-NDZXMP6A18KTCTR