GA1210Y392KBLAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装应用,广泛用于工业控制、消费电子及汽车电子领域。
该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列,能够承受较高的漏源电压,并在高频开关条件下提供卓越的效率表现。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):120V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):35A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ (典型值,Vgs=10V)
总栅极电荷(Qg):74nC
输入电容(Ciss):3220pF
输出电容(Coss):88pF
反向传输电容(Crss):77pF
工作结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263 (D2PAK)
GA1210Y392KBLAR31G 的主要特性包括:
1. 低导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低功耗,提升系统效率。
2. 高速开关能力,支持高频应用环境。
3. 出色的热稳定性,确保在高温环境下长期可靠运行。
4. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
5. 强大的浪涌电流能力,增强了器件的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
7. 内置静电防护功能,提高抗干扰能力。
以上特点使得 GA1210Y392KBLAR31G 成为许多高功率密度应用的理想选择。
该芯片适用于以下应用场景:
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动器和逆变器模块。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统的电池管理系统 (BMS) 和 DC-DC 转换。
5. 高效能 LED 驱动电路。
6. UPS 不间断电源及太阳能逆变器。
7. 各类需要高效功率转换的消费类电子产品。
这些应用得益于其高效率、小体积以及优异的电气性能。
IRFZ44N, FDP5560, AO3400A