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GA1210Y392KBLAR31G 发布时间 时间:2025/6/12 5:36:18 查看 阅读:7

GA1210Y392KBLAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 TO-263(D2PAK),适合表面贴装应用,广泛用于工业控制、消费电子及汽车电子领域。
  该型号属于沟道增强型 MOSFET 系列,能够承受较高的漏源电压,并在高频开关条件下提供卓越的效率表现。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):35A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ (典型值,Vgs=10V)
  总栅极电荷(Qg):74nC
  输入电容(Ciss):3220pF
  输出电容(Coss):88pF
  反向传输电容(Crss):77pF
  工作结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263 (D2PAK)

特性

GA1210Y392KBLAR31G 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低功耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用环境。
  3. 出色的热稳定性,确保在高温环境下长期可靠运行。
  4. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
  5. 强大的浪涌电流能力,增强了器件的鲁棒性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  7. 内置静电防护功能,提高抗干扰能力。
  以上特点使得 GA1210Y392KBLAR31G 成为许多高功率密度应用的理想选择。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
  2. 电机驱动器和逆变器模块。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 汽车电子系统的电池管理系统 (BMS) 和 DC-DC 转换。
  5. 高效能 LED 驱动电路。
  6. UPS 不间断电源及太阳能逆变器。
  7. 各类需要高效功率转换的消费类电子产品。
  这些应用得益于其高效率、小体积以及优异的电气性能。

替代型号

IRFZ44N, FDP5560, AO3400A

GA1210Y392KBLAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-