ZXMP6A17N8TC 时间：2025/12/26 12:55:04 阅读：13

ZXMP6A17N8TC是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道MOSFET晶体管，采用先进的TrenchFET技术制造，适用于高性能电源管理应用。该器件设计用于在低电压和低导通电阻需求的应用中提供高效的开关性能，广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统以及负载开关等场景。其封装形式为TSOP-8（也称SOT457），具有较小的占板面积，适合空间受限的设计。ZXMP6A17N8TC在工业温度范围内稳定工作，具备良好的热稳定性和可靠性，能够满足消费类电子和工业控制领域的严苛要求。
　　该MOSFET的栅极阈值电压较低，使其能够与逻辑电平信号直接接口，无需额外的驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。此外，该器件还具备出色的雪崩能量耐受能力，在瞬态过压情况下表现出较强的鲁棒性。通过优化的芯片结构设计，ZXMP6A17N8TC实现了低输入电容和输出电容，有助于减少开关损耗，提高转换效率。总体而言，这款P沟道MOSFET是高密度、高效率电源解决方案中的理想选择之一。

参数

型号：ZXMP6A17N8TC
　　通道类型：P沟道
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-4.9A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))：33mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：40mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极阈值电压(VGS(th))：-0.85V ~ -1.4V
　　输入电容(Ciss)：490pF @ VDS = 10V
　　反向传输电容(Crss)：45pF @ VDS = 10V
　　输出电容(Coss)：420pF @ VDS = 10V
　　开启延迟时间(Td(on))：8ns
　　关断延迟时间(Td(off))：28ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：TSOP-8 (SOT457)
　　安装类型：表面贴装(SMT)

特性

ZXMP6A17N8TC采用先进的沟道场效应晶体管（TrenchFET）工艺制造，这种技术显著提升了器件的载流能力和功率密度，同时有效降低了导通电阻。其RDS(on)在-4.5V栅压下仅为33mΩ，这意味着在大电流负载条件下仍能保持较低的功耗，减少发热，提升系统能效。对于电池供电设备而言，这一点尤为重要，因为它直接影响到续航时间和系统热管理设计。此外，该器件在-2.5V的较低栅压下也能实现40mΩ的低导通电阻，表明其具备良好的低压驱动能力，可兼容3.3V或更低逻辑电平的控制器输出，无需使用电平转换或专用驱动IC，从而简化外围电路设计。
　　该MOSFET具有较高的输入阻抗和快速的开关响应特性，得益于其较低的输入电容（Ciss=490pF）和输出电容（Coss=420pF），这使得它在高频开关应用中表现优异，例如同步整流、DC-DC转换器中的上桥臂开关等。同时，Crss（反向传输电容）仅为45pF，有助于降低米勒效应带来的误触发风险，提高开关稳定性。器件的开启延迟时间为8ns，关断延迟时间为28ns，展现出快速的动态响应能力，适合用于需要精确时序控制的电源管理系统。
　　从可靠性角度来看，ZXMP6A17N8TC的工作结温范围为-55°C至+150°C，覆盖了绝大多数工业和消费类应用场景。其封装采用符合RoHS标准的绿色材料，并具备良好的散热性能。由于采用SOT457小型化封装，便于在高密度PCB布局中使用，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间极为敏感的产品。此外，该器件还具备较强的静电放电（ESD）防护能力，增强了生产过程中的耐用性。综合来看，ZXMP6A17N8TC在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于现代高效电源系统的优质P沟道MOSFET。

应用

ZXMP6A17N8TC广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理系统中。典型用途包括便携式电子设备中的电池保护电路，作为高端开关用于控制电池与主系统的连接与断开，防止过流、短路或反向充电等异常情况。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可用作同步整流器的上管开关，利用其低导通电阻特性减少传导损耗，提高整体转换效率。此外，它也常被用作负载开关，在多电源域系统中实现不同模块的独立供电控制，例如在处理器休眠时切断外设电源以节省能耗。
　　在手持设备如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中，ZXMP6A17N8TC可用于LCD背光驱动电路或USB端口的电源管理，确保在不需要时完全关闭相关功能模块，延长电池寿命。其快速开关能力和低静态电流特性使其非常适合于需要频繁启停操作的应用场景。另外，该器件还可用于热插拔电路设计中，作为电源路径控制开关，避免插入瞬间产生浪涌电流损坏系统。在工业控制领域，该MOSFET可用于传感器模块、无线通信节点和小型PLC的电源切换电路中，提供可靠的P沟道开关解决方案。
　　由于其支持逻辑电平驱动，ZXMP6A17N8TC可以直接由微控制器GPIO引脚控制，无需额外的驱动电路，降低了系统复杂度和物料成本。因此，在嵌入式系统、物联网终端设备以及智能家居产品中也有广泛应用。总之，凡是需要一个小型化、高效率、易于集成的P沟道MOSFET来实现电源通断控制的场合，ZXMP6A17N8TC都是一个极具竞争力的选择。