ZXMP3A13FTC 时间：2025/12/26 10:56:35 阅读：25

ZXMP3A13FTC是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟道技术制造，专为高效率和高性能的电源管理应用设计。该器件封装在小型SOT-23（也称SC-59）封装中，适合空间受限的应用场景，例如便携式电子设备、电池供电系统以及需要紧凑布局的电路板设计。ZXMP3A13FTC具有低导通电阻（RDS(on)），能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的开关操作，适用于3.3V或5V逻辑电平控制的系统。其主要特点包括低阈值电压、良好的热稳定性和可靠的长期性能，广泛用于负载开关、电机驱动、DC-DC转换器及信号切换等场合。该MOSFET符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保与可靠性的双重需求。

参数

类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　连续漏极电流（ID）：-1.3A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-3.9A
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻RDS(on)（max）@ VGS = -4.5V：65mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max）@ VGS = -2.5V：95mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max）@ VGS = -1.8V：140mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max）@ VGS = -1.5V：170mΩ
　　阈值电压（Vth）：-0.7V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：195pF @ VDS = 10V, VGS = 0V
　　反向传输电容（Crss）：35pF @ VDS = 10V, VGS = 0V
　　输出电容（Coss）：130pF @ VDS = 10V, VGS = 0V
　　总栅极电荷（Qg）：4.3nC @ VDS = 10V, ID = -1.3A, VGS = -4.5V
　　开启延迟时间（td(on)）：7ns
　　关断延迟时间（td(off)）：24ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装/包：SOT-23 (SC-59)

特性

ZXMP3A13FTC采用先进的沟道MOSFET工艺，具备出色的电气性能和热稳定性，特别适合在低电压、小功率应用场景中作为开关元件使用。其P沟道结构使其在高边开关配置中表现出色，无需额外的电平移位电路即可直接由微控制器或其他数字逻辑信号驱动。该器件在-4.5V栅源电压下的最大导通电阻仅为65mΩ，在-2.5V时为95mΩ，表明其在低压驱动条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。
　　该MOSFET的阈值电压范围为-0.7V至-1.0V，确保了器件在较低的负向栅极电压下即可开始导通，增强了其在电池供电设备中的适用性。由于其静态功耗极低，仅在开关瞬间消耗能量，因此非常适合用于节能型便携式设备，如智能手机、可穿戴设备、蓝牙耳机和移动电源等。此外，其输入电容仅为195pF，使得驱动电路所需的驱动电流较小，进一步降低了控制端的功耗负担。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，能够通过PCB走线有效散热，适用于高密度贴装的印刷电路板。该器件经过严格的质量测试，具备优异的抗静电能力（ESD保护）和长期可靠性，能够在-55°C到+150°C的宽温度范围内稳定工作，适应工业级和消费级多种环境条件。同时，该产品符合RoHS指令要求，不含铅和有害物质，支持绿色环保制造流程。

应用

ZXMP3A13FTC广泛应用于各类低电压电源管理系统中，典型用途包括便携式电子设备中的负载开关、电池极性反接保护电路、DC-DC降压或升压转换器的同步整流开关、LED背光驱动电路中的开关控制、微处理器外围电源管理模块以及各类信号通断控制电路。由于其具备快速开关响应能力和低导通电阻，特别适合用于需要频繁启停的小功率电机驱动应用，如微型风扇、振动马达等。此外，它也可用于热插拔电路中，防止上电冲击电流对系统造成损害。在通信设备、智能家居传感器节点、物联网终端设备中，该器件因其小尺寸和高效能而成为理想的功率开关选择。其低压驱动特性也使其能够直接与3.3V或1.8V逻辑输出接口兼容，简化了系统设计复杂度。