类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：7A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2Ω（最大值为1.5Ω）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-263等
　　功率耗散（PD）：50W
　　热阻（RθJC）：2.5℃/W
　　阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：600V

KHB7D5N60P MOSFET具有多项优良的电气和热性能，适用于高要求的功率应用。其主要特性如下：
　　首先，KHB7D5N60P 具有600V的高耐压能力，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源和开关电源设计，确保系统在高压环境下稳定运行。
　　其次，该器件的导通电阻RDS(on)典型值为1.2Ω，最大值为1.5Ω。低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率，减少发热，从而提升整体系统的可靠性和使用寿命。
　　该MOSFET的连续漏极电流为7A，在Tc=25℃条件下能够提供较高的电流能力，适用于中高功率应用。其高电流能力使其适用于电机驱动、DC-DC转换器、LED驱动电源等场合。
　　KHB7D5N60P 支持±20V的栅源电压，具备较强的抗过压能力，提高了器件在复杂工作环境中的稳定性。同时，其阈值电压范围为2V至4V，确保在不同驱动电路条件下都能可靠导通。
　　在热性能方面，该器件具有良好的热稳定性，热阻RθJC为2.5℃/W，有助于将热量快速传导至外部散热器，防止因过热导致的性能下降或损坏。
　　此外，KHB7D5N60P 提供多种封装形式选择，如TO-220和TO-263，便于用户根据具体应用需求进行安装和散热设计，适应性强。

KHB7D5N60P MOSFET因其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，被广泛应用于多个领域。在开关电源（SMPS）中，该器件常用于功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器和AC-DC转换模块，以提高电源转换效率并降低能耗。在电机控制应用中，KHB7D5N60P 可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或无刷电机的高效控制，适用于电动工具、家电和工业自动化设备。
　　此外，该MOSFET还可用于LED照明驱动电源、电池管理系统（BMS）、电焊机、逆变器和UPS不间断电源等高功率电子设备中，提供稳定的功率开关性能。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，KHB7D5N60P 也常用于功率转换电路，以实现高效的能量管理。
　　由于其良好的可靠性和热稳定性，KHB7D5N60P 还被广泛用于工业自动化设备、智能家电和电力电子装置中，满足对高性能功率开关的需求。

KHB7D5N60P 的替代型号包括：K2645、K2647、K2648、K2649、K2650