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ZXMP10A18GTA 发布时间 时间:2025/6/4 17:53:35 查看 阅读:5

ZXMP10A18GTA是一款高性能的射频功率放大器芯片,主要应用于无线通信领域。该芯片采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具有高增益、高线性度和低噪声的特点,能够在较宽的频率范围内提供稳定的功率输出。
  该芯片通常用于蜂窝基站、点对点无线电通信系统以及其他需要高效射频信号放大的场景。其设计优化了热性能和匹配网络,使其在复杂的工作环境下也能保持出色的性能。

参数

型号:ZXMP10A18GTA
  工艺:GaAs HEMT
  工作频率范围:5.9-6.4 GHz
  增益:23 dB
  饱和输出功率:30 dBm
  电源电压:5 V
  静态电流:500 mA
  封装形式:SMT贴片封装
  工作温度范围:-40℃至+85℃

特性

1. 高增益和高线性度,确保在高频段下有良好的信号质量。
  2. 内置匹配网络,减少了外部元件的需求,简化了电路设计。
  3. 集成了ESD保护电路,提高了芯片的可靠性和抗静电能力。
  4. 热性能优异,能够在高温环境下长期稳定运行。
  5. 小型化封装设计,适合空间受限的应用环境。
  6. 提供了良好的效率和功率输出,在多种应用场景中表现优秀。

应用

ZXMP10A18GTA适用于以下应用领域:
  1. 蜂窝基站射频功率放大器模块。
  2. 点对点微波通信设备。
  3. 固定无线接入(FWA)系统。
  4. 卫星通信地面站设备。
  5. 测试与测量仪器中的信号源放大。
  6. 其他需要高频功率放大的无线通信设备。

替代型号

ZXMP10A18FTA, ZXMP10B18GTA

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ZXMP10A18GTA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 2.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1055pF @ 50V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMP10A18GTR