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ZXMP10A17GQTA 发布时间 时间:2025/12/26 11:25:01 查看 阅读:25

ZXMP10A17GQTA是一款由中兴微电子(ZTE Microelectronics)推出的高性能、低功耗的电力线通信(Power Line Communication, PLC)调制解调芯片,专为智能电网、智能电表、智能家居及物联网等应用场景设计。该芯片集成了先进的OFDM(正交频分复用)调制技术,支持在复杂噪声环境下的稳定数据传输,具备较强的抗干扰能力和长距离通信性能。其主要面向中国国家电网和南方电网的HPLC(高速电力线载波)通信标准,符合国网双向认证安全体系要求,适用于AMI(高级计量基础设施)系统中的数据采集与远程控制。
  ZXMP10A17GQTA采用高集成度架构,内置32位处理器核心、硬件加密引擎(支持SM4/DES/AES)、ADC/DAC模块以及模拟前端AFE,减少了外围元器件数量,降低了终端设备的设计复杂度和整体成本。同时,该芯片支持多节点组网功能,可实现自动路由、动态抄表路径优化和网络自愈能力,提升了通信系统的可靠性与效率。工作温度范围覆盖工业级标准,适合部署于户外配电环境或户内智能终端中。

参数

型号:ZXMP10A17GQTA
  制造商:中兴微电子(ZTE Microelectronics)
  通信标准:符合中国国家电网HPLC规范
  调制方式:OFDM(支持多种子载波配置)
  工作频率范围:2MHz - 12MHz
  数据速率:最高可达1.2 Mbps(物理层)
  协议栈支持:MAC层+APL层完整协议栈内嵌
  安全机制:支持SM1/SM4硬件加密、双向身份认证
  CPU核心:32位专用通信处理器
  内存配置:内置SRAM和Flash用于固件存储
  接口类型:UART、SPI、GPIO等
  供电电压:1.8V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN48(无铅环保封装)

特性

ZXMP10A17GQTA具备卓越的通信稳定性与抗噪能力,采用自适应信道感知技术,能够实时监测电力线信道质量并动态调整调制策略,在高噪声环境下仍能保持高效通信。其OFDM技术将信号分布在多个正交子载波上,显著提升频谱利用率,并有效对抗多径衰落和脉冲干扰,尤其适用于中国复杂的居民用电网络环境。芯片内置高性能模拟前端(AFE),包括低噪声放大器、可编程增益控制和高精度ADC/DAC,确保了微弱信号的准确接收与还原。
  安全性方面,ZXMP10A17GQTA完全满足国家电网对信息安全的严格要求,集成国密算法SM1和SM4硬件加速模块,支持设备间双向身份认证,防止非法接入和数据窃听。此外,芯片支持固件远程升级(FOTA),便于运营商进行集中维护和功能扩展,降低后期运维成本。在网络管理层面,该芯片支持“本地+远程”双模式组网,具备自动入网、中继转发、链路质量评估等功能,可构建大规模、多层次的PLC通信网络,极大提升了抄表成功率和系统响应速度。
  在系统集成方面,ZXMP10A17GQTA高度集成化设计减少了外部元件需求,简化了PCB布局,有助于缩小终端产品体积,提高生产良率。其低功耗管理模式包含待机、休眠等多种状态,可根据通信负载自动切换,延长设备使用寿命。开发支持方面,中兴微提供完整的SDK、参考设计和调试工具链,帮助客户快速完成产品开发与认证。总体而言,该芯片以其高可靠性、强安全性与良好的兼容性,已成为国内智能电表、集中器、光伏逆变器通信模块等产品的主流选择之一。

应用

广泛应用于智能电网中的高级计量架构(AMI)系统,作为智能电表、采集终端、集中器之间的高速通信核心组件;适用于城市配电网自动化系统中的远程监控与故障诊断;可用于分布式能源管理系统,如光伏电站、储能系统的并网通信;支持智能家居场景下通过电力线实现家电联网与集中控制;也适用于路灯控制系统、能效管理平台等需要稳定可靠短距通信的工业物联网场景。

替代型号

HR8P506D
  ATMEL ATPL230
  HiSilicon Hi3911

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ZXMP10A17GQTA参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥8.67000剪切带(CT)1,000 : ¥3.94411卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)350 毫欧 @ 1.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)424 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-223-3
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA