MRF286 时间：2025/9/3 16:01:41 阅读：14

MRF286是一款由摩托罗拉（Motorola）推出的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于射频（RF）功率放大器应用。该器件设计用于在VHF（甚高频）和UHF（超高频）频段提供高功率输出，具有良好的线性度、效率和热稳定性。MRF286采用TO-220封装，适用于广播、通信设备、工业加热设备等需要高功率放大的场合。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大工作频率：500MHz
　　输出功率：在175MHz时可达150W
　　增益：约14dB（典型值）
　　静态工作点（IDSS）：在VDS=50V时最大为10mA
　　输入电容（Ciss）：约200pF
　　输出电容（Coss）：约100pF
　　反馈电容（Crss）：约20pF
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

MRF286的主要特性包括其高功率处理能力、宽频率响应范围和良好的线性放大性能。它能够在高达500MHz的频率下工作，适用于VHF和UHF频段的广泛应用。该器件在175MHz时可提供高达150W的输出功率，使其成为高功率射频放大器设计中的理想选择。
　　MRF286具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高功率条件下长时间工作而不会出现性能下降。其TO-220封装便于安装和散热管理，适用于各种功率放大器电路设计。
　　该MOSFET还具有较低的输入和输出电容，有助于减少信号失真和提高放大器的稳定性。其反馈电容（Crss）较小，有助于降低高频下的不稳定性和振荡风险。
　　MRF286的栅极驱动要求较低，能够在较低的栅源电压下实现高效的功率放大。其静态工作点（IDSS）较低，有助于减少在非工作状态下的功耗。

应用

MRF286广泛应用于射频功率放大器的设计中，特别是在VHF和UHF频段的通信设备中。它常用于广播发射机、工业加热设备、测试仪器、射频电源和其他需要高功率放大的场合。该器件的高功率输出能力和良好的线性度使其成为需要高保真放大应用的理想选择。
　　在业余无线电（HAM Radio）和专业通信系统中，MRF286常用于构建高功率射频放大器，以提高信号的传输距离和稳定性。其热稳定性和可靠性也使其适用于需要长时间连续工作的应用。