时间：2025/5/12 12:37:00
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ZXMP10A13F是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供优异的效率和稳定性。
这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管，适用于各种需要高效能功率转换的应用场景，如适配器、充电器以及工业自动化设备等。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：13A
导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：18nC
输入电容(Ciss)：650pF
输出电容(Coss)：95pF
总功耗(Ptot)：20W
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻，可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了在异常情况下的鲁棒性。
4. 紧凑型封装设计，有助于节省PCB空间。
5. 具备出色的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，适合多种现代电子应用需求。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动器中的功率级元件。
5. 各种消费类电子产品中的电源管理单元。
6. 工业自动化设备中的控制与驱动电路。
IRFZ44N
STP13NM50
FDP17N10
IXTH13N10P
