时间：2025/12/28 6:54:45
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LYT686-R1S2-26是一款高度集成的电源管理芯片，专为离线式开关电源设计，广泛应用于适配器、充电器以及低功率AC-DC转换场景。该器件内置高压启动电路、电流模式PWM控制器和高耐压MOSFET，能够在无需外部启动电阻的情况下实现快速启动，并提升系统效率与可靠性。其封装形式为SOP-8或类似小型化封装，适用于空间受限的紧凑型电源设计。LYT686-R1S2-26采用准谐振（Quasi-Resonant, QR）控制技术，可在全负载范围内实现高能效转换，同时有效降低电磁干扰（EMI），满足国际能效标准如DoE Level VI和Energy Star的要求。该芯片还集成了多种保护机制，包括过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）以及前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB），确保在各种异常工况下系统的安全运行。由于其高度集成的设计理念，LYT686-R1S2-26可显著减少外围元件数量，降低BOM成本并提高整体系统可靠性，是中小功率开关电源的理想选择之一。
型号：LYT686-R1S2-26
封装类型：SOP-8
工作电压范围：10V ~ 25V
启动电流：<10μA
待机电流：<1mA
开关频率：典型65kHz，可调
控制器类型：电流模式PWM控制器
控制方式：准谐振（QR）
内置MOSFET耐压：650V
输出功率范围：支持最高约18W输出（依变压器设计而定）
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
引脚数：8
LYT686-R1S2-26具备多项先进的电源管理特性，使其在同类产品中表现出色。首先，它采用了自供电高压启动架构，无需外接启动电阻即可完成初始上电过程，大幅缩短启动时间并降低待机功耗。这一特性特别适合对能效要求严格的消费类电子产品应用。其次，芯片支持准谐振控制模式，在MOSFET导通前检测到变压器退磁完成后的谷底电压点进行开关动作，从而实现零电压开关（ZVS），显著降低开关损耗和应力，提高转换效率，尤其是在轻载和中等负载条件下表现优异。
此外，LYT686-R1S2-26内置完善的多重保护功能，提升了系统的鲁棒性。例如，过温保护（OTP）会在芯片结温超过安全阈值时自动关闭输出，防止热损坏；过压保护（OVP）通过检测反馈回路状态判断输出是否异常，并及时切断驱动信号；前沿消隐功能则有效抑制了电流检测信号中的尖峰干扰，避免误触发限流保护，提升系统稳定性。芯片还具备频率折叠（Frequency Folding）功能，在轻载时自动降低开关频率以减少开关损耗，进一步优化待机效率，符合现代绿色能源标准。
另一个关键优势是其良好的动态响应能力。得益于精确的电流模式控制架构，芯片能够实时监测原边电流并快速调整占空比，应对负载突变情况，保持输出电压稳定。同时，内部集成软启动电路，可防止开机瞬间出现过大的冲击电流，延长系统寿命。此外，该器件具有良好的噪声免疫能力和EMI性能优化设计，有助于简化EMC滤波电路，降低认证难度。总体而言，LYT686-R1S2-26凭借其高集成度、高效能、高可靠性和低成本特点，成为中小功率离线电源设计中的优选方案。
LYT686-R1S2-26主要应用于各类中小功率AC-DC开关电源系统，尤其适用于对体积、效率和成本敏感的产品。典型应用场景包括手机充电器、USB PD适配器、智能家居设备电源模块、物联网终端供电单元、无线路由器电源、LED照明驱动电源以及小型家电的辅助电源等。由于其支持准谐振工作模式且具备出色的轻载效率，该芯片非常适合用于需要长时间待机的消费电子产品，如智能音箱、监控摄像头和电子门锁等设备的电源设计。
在工业领域，LYT686-R1S2-26也可用于传感器供电、继电器驱动电源、小型PLC模块电源等低功耗控制系统中，提供稳定可靠的直流电压输出。此外，因其具备较强的抗干扰能力和宽温工作范围，该芯片在环境较为复杂的工业环境中仍能保持良好性能。对于出口型产品，该芯片的设计符合多项国际安规与能效标准，便于通过CE、FCC、UL等认证流程，加快产品上市速度。因此，无论是民用还是工业用途，LYT686-R1S2-26都能为设计师提供一个高效、简洁且合规的电源解决方案。
LYTS27SA
